برقراری ارتباط
جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 1576-1573 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Maktabi M, Shahzadeh M, Hosseini S A, Sabaeian M. Investigation of bios effect on energy, envelop function and transition dipole moment in a cone-shaped GaN/AlN quantum dot infrared photo-detector. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2014; 20 :1573-1576
URL: http://opsi.ir/article-1-75-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-75-fa.html
مکتبی مریم، شاهزاده محمدرضا، حسینی سید آزادی، صبائیان محمد. بررسی اثر ولتاژ بایاس بر روی انرژی، تابع موج و دوقطبی گذار الکترون در آشکارسازهای نقطه‌ی کوانتومی مخروطی-شکل GaN/AlN. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1392; 20 () :1573-1576
مریم مکتبی1 
، محمدرضا شاهزاده2 ، سید آزادی حسینی2 ، محمد صبائیان* 2
، محمدرضا شاهزاده2 ، سید آزادی حسینی2 ، محمد صبائیان* 2
1- دانشگاه پیام نور اهواز
2- دانشگاه چمران اهواز
2- دانشگاه چمران اهواز
چکیده: (4842 مشاهده)
در این کار با استفاده از تقریب جرم موثر، حل معادله‌ی شرودینگر برای الکترون در باند رسانش نقطه‌ی کوانتومی مخروطی-شکل GaN/AlN حل شد و ترازهای انرژی و دوقطبی گذار الکترون بدست آمد. اثر ابعاد نقطه‌ی کوانتومی به صورت تغییر ارتفاع و تغییر شعاع قاعده‌ی مخروط و همچنین اثر ولتاژ بایاس بر روی ترازهای انرژی و دوقطبی گذار الکترون بررسی شد.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
