اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 306 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21765606 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 14741 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 1044-1041 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
rahimi S G, fallah H. Using a triple quantum well as buffer layer in OLED’s structure and investigating its effect on reducing threshold voltage. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2014; 20 :1041-1044
URL: http://opsi.ir/article-1-419-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-419-fa.html
رحیمی سید غلامرضا، فلاح حمیدرضا. استفاده از چاه کوانتومی سه گانه به عنوان لایه‌ی بافر در دیودهای نورگسیل آلی و بررسی تأثیر آن در کاهش ولتاژ آستانه. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1392; 20 () :1041-1044
1- دانشگاه اصفهان
چکیده: (6292 مشاهده)
دیودهای نورگسیل آلی از جمله قطعاتی است که در تحقیقات اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. یکی از پارامترهای مهم در عملکرد این قطعه ولتاژ آستانه کار دیود است. در این پژوهش، استفاده از چاه کوانتومی در ساختار دیودهای نورگسیل آلی مورد بررسی قرار گرفت و چاه کوانتومی سه گانه به صورت تجربی در ساختار برای کاهش ولتاژ آستانه‌ی دیود مورد استفاده شد. نتایج نشان می‌دهد که این ولتاژ به طور قابل ملاحظه‌ای کاهش یافته است.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
