[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال20 صفحات 1041-1044 برگشت به فهرست نسخه ها
استفاده از چاه کوانتومی سه گانه به عنوان لایه‌ی بافر در دیودهای نورگسیل آلی و بررسی تأثیر آن در کاهش ولتاژ آستانه
آقای سید غلامرضا رحیمی* 1، دکتر حمیدرضا فلاح1
1- دانشگاه اصفهان
چکیده:   (4023 مشاهده)
دیودهای نورگسیل آلی از جمله قطعاتی است که در تحقیقات اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. یکی از پارامترهای مهم در عملکرد این قطعه ولتاژ آستانه کار دیود است. در این پژوهش، استفاده از چاه کوانتومی در ساختار دیودهای نورگسیل آلی مورد بررسی قرار گرفت و چاه کوانتومی سه گانه به صورت تجربی در ساختار برای کاهش ولتاژ آستانه‌ی دیود مورد استفاده شد. نتایج نشان می‌دهد که این ولتاژ به طور قابل ملاحظه‌ای کاهش یافته است.
واژه‌های کلیدی: دیودهای نورگسیل آلی، نیمرساناهای آلی، لایه های بافر، ولتاژ آستانه
متن کامل [PDF 655 kb]   (753 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

rahimi S G, fallah H. Using a triple quantum well as buffer layer in OLED’s structure and investigating its effect on reducing threshold voltage. ICOP & ICPET. 2014; 20 :1041-1044
URL: http://opsi.ir/article-1-419-fa.html

رحیمی سید غلامرضا، فلاح حمیدرضا. استفاده از چاه کوانتومی سه گانه به عنوان لایه‌ی بافر در دیودهای نورگسیل آلی و بررسی تأثیر آن در کاهش ولتاژ آستانه. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1392; 20 () :1041-1044

URL: http://opsi.ir/article-1-419-fa.html



جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3781