اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 190 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21757308 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 13089 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 508-505 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Rashidi A, Sheikhi M H, Zarifkar A. A New Structure for Multi Quantum Well InGaN/GaN Light Emitting Diodes with Emission Wavelength of 400-450 nm. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2014; 20 :505-508
URL: http://opsi.ir/article-1-243-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-243-fa.html
Rashidi Arman، Sheikhi Mohammad Hossein، Zarifkar Abbas. A New Structure for Multi Quantum Well InGaN/GaN Light Emitting Diodes with Emission Wavelength of 400-450 nm. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1392; 20 () :505-508
1- Photonics Laboratory, School of Electrical and Computer Engineering, Shiraz University
2- Nanotechnology Research Institute, Shiraz University
3- Department of Communications and Electronics, School of Electrical and Computer Engineering, Shiraz University
2- Nanotechnology Research Institute, Shiraz University
3- Department of Communications and Electronics, School of Electrical and Computer Engineering, Shiraz University
چکیده: (4926 مشاهده)
In this paper a new structure for InGaN/GaN multi quantum well (MQW) light emitting diodes (LEDs) with emission wavelengths of 400-450 nm and peak wavelength at 435 nm is reported. In this configuration a tri-step quantum wells have been considered that high quantum efficiency up to 80% was obtained. Since carriers would experience more cross-section of the localized states at outer well, both short wavelength emission and stable quantum efficiency have been observed.
واژه‌های کلیدی: Light emitting diode، multi quantum well، optical spectral response، quantum efficiency.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
