اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 325 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21754838 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 12387 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 1324-1321 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
pourasiab H, namdar A. The effect of position of the Defect layer on the Goos – Hanchen Shift in the 1D Photonic Crystals in the Presence of Metamaterial . ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2014; 20 :1321-1324
URL: http://opsi.ir/article-1-231-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-231-fa.html
پورآسیاب هدایت، نامدار عبدالرحمن. اثرمحل لایه ی نقص بر جابجایی گوس- هانچن در بلورهای فوتونیکی یک بعدی در حضور متا ماده . مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1392; 20 () :1321-1324
چکیده: (5589 مشاهده)
چکیده - در این مقاله اثر محل لایه نقص بر جا بجایی گوس- هانچن را در یک بلور فوتونی یک بعدی در حضور متا ماده مطالعه می‌کنیم. نشان می‌دهیم که جا بجایی فوق بسته به تحریک امواج سطحی پیشرو و یا پسرو مثبت و یا منفی خواهد بود. همچنین مشاهده می‌کنیم که به ازای محلهای مختلف لایه نقص بیشینه جا بجایی گوس- هانچن در زوایای تابش متفاوت باریکه گوسی رخ می دهد. به طوری که این زوایای تابش در مورد امواج پیشرو ( پسرو) با دور شدن لایه نقص از سطح بلور از مقادیر بزرگ (کم) کاهش (افزایش)یافته و به مقدار نظیر بدون نقص میل می کند.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
