[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال20 صفحات 1321-1324 برگشت به فهرست نسخه ها
اثرمحل لایه ی نقص بر جابجایی گوس- هانچن در بلورهای فوتونیکی یک بعدی در حضور متا ماده
آقای هدایت پورآسیاب* 1، آقای عبدالرحمن نامدار
چکیده:   (3402 مشاهده)
چکیده - در این مقاله اثر محل لایه نقص بر جا بجایی گوس- هانچن را در یک بلور فوتونی یک بعدی در حضور متا ماده مطالعه می‌کنیم. نشان می‌دهیم که جا بجایی فوق بسته به تحریک امواج سطحی پیشرو و یا پسرو مثبت و یا منفی خواهد بود. همچنین مشاهده می‌کنیم که به ازای محلهای مختلف لایه نقص بیشینه جا بجایی گوس- هانچن در زوایای تابش متفاوت باریکه گوسی رخ می دهد. به طوری که این زوایای تابش در مورد امواج پیشرو ( پسرو) با دور شدن لایه نقص از سطح بلور از مقادیر بزرگ (کم) کاهش (افزایش)یافته و به مقدار نظیر بدون نقص میل می کند.
واژه‌های کلیدی: بلور فوتونیکی، جا بجایی گوس- هانچن، متا‌ماده
متن کامل [PDF 348 kb]   (675 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

pourasiab H, namdar A. The effect of position of the Defect layer on the Goos – Hanchen Shift in the 1D Photonic Crystals in the Presence of Metamaterial . ICOP & ICPET. 2014; 20 :1321-1324
URL: http://opsi.ir/article-1-231-fa.html

پورآسیاب هدایت، نامدار عبدالرحمن. اثرمحل لایه ی نقص بر جابجایی گوس- هانچن در بلورهای فوتونیکی یک بعدی در حضور متا ماده . کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1392; 20 () :1321-1324

URL: http://opsi.ir/article-1-231-fa.html



جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3781