:: جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال26 صفحات 1177-1180 برگشت به فهرست نسخه ها
اثرات فونون‌ سطحی زیرلایه بر جذب پلاسمونی گرافن
شراره جلالوندی*1، محمدکاظم مروج فرشی1، سارا درباری1
1- دانشگاه تربیت مدرس
چکیده:   (103 مشاهده)
در مقاله‌ی پیش‌رو روش جدیدی ارائه داده‌ایم که با استفاده از آن می‌توان تأثیر زیرلایه بر جذب پلاسمونی در گرافن را با ترکیب دو روش تقریب فاز تصادفی و معادلات انتگرالی مشاهده کرد. زیرلایه‌ی قطبی SiO2 و غیرقطبی DLC برای بررسی تغییرات جذب پلاسمونی در گستره‌ی میان-مادون قرمز در نانونوارهای گرافنی انتخاب شده‌اند. برهمکنش میان پلاسمون‌های برانگیخته شده در سطح گرافن و فونون‌های زیرلایه‌ی قطبی تغییر چشم‌گیری در پاشندگی ساختار ایجاد می‌کند و در نتیجه تاثیر بر روی جذب پلاسمونی نیز چشم‌گیر خواهد بود. در اینجا، ابتدا با استفاده از تقریب فاز تصادفی تابع دی‌الکتریک گرافن را بدست می‌آوریم. آشکار است که در حضور فونون، تابع دی‌الکتریک نسبت به زمانی که فونون حضور ندارد متفاوت است. پس از آن با مدل کردن گرافن با تابع دی‌الکتریک محاسبه شده و استفاده از روش معادلات انتگرالی جذب پلاسمونی را می‌یابیم. مطالعات ما راه را برای ساختارهای پلاسمونی مانند مدولاتورها، موجبرها و آشکارسازها و نحوه‌ی استفاده از زیرلایه‌ها روشن می‌کند.
واژه‌های کلیدی: فونون، گرافن، جذب پلاسمونی، تقریب فاز تصادفی، روش معادلات انتگرالی
متن کامل [PDF 271 kb]   (10 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی


XML   English Abstract   Print



جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها