جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال24 صفحات 148-145 |
برگشت به فهرست نسخه ها
1- دانشگاه تربیت مدرس
چکیده: (2238 مشاهده)
در این منبع تراهرتز با استفاده از دو اتصال شاتکی نامتقارن بر روی لایه ای از جنس بلور GaN، میدان داخلی لازم را ایجاد کرده ایم. با این کار نیاز به بایاس خارجی حذف میگردد، که یکی از مزایای این ساختار است. سپس با تابش یک پالس زمانی گوسی باریک با طول موج nm 350 بر روی نیمه هادی باعث تولید حاملها درون منطقه فعال میشویم. تغییرات زمانی سریع پالس ورودی عامل تولید فرکانس های بالا در جریان تراهرتز تولیدی میباشد. این جریان متغیر با زمان باعث تولید و انتشار میدان تراهرتز به سمت کف افزاره میگردد. در این مقاله، شبیه سازی‌ها دو بعدی و به روش عنصر متناهی انجام می‌شود.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |