برقراری ارتباط
جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال24 صفحات 384-381 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Abbasi S P, Goudarzi M, Mahdieh M H. Optimization of AlGaAs-QWs for high Power Diode lasers at 800nm. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2018; 24 :381-384
URL: http://opsi.ir/article-1-1517-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1517-fa.html
عباسی سید پیمان، گودرزی میترا، مهدیه محمد حسین. بهینه‌سازی چاه کوانتومی AlGaAs برای لیزرهای نیم‌رسانا 800 نانومتر پرتوان . مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1396; 24 () :381-384
1- دانشگاه علم و صنعت ایران
چکیده: (1965 مشاهده)
در طراحی لیزرهای نیم‌رسانا AlGaAs با بکارگیری مقادیر مختلف درصد آلومینیوم و تغییر عرض چاه کوانتومی در ناحیه فعال میتوان عملکرد لیزر را در طول موجهای مختلف فراهم نمود. در عین حال عملکرد لیزر در شرایط بهینه در هر طول موج خاص به درصد معینی از الومینیم و عرض چاه مشخصی وابسته است. در این مقاله ساختار لیزر بهینه برای طول موج 800 نانومتر بررسی شد. معیار بهینه سازی بر اساس دست یابی به بالاترین توان و کمترین جریان آستانه تعیین گردید. در این بهینه سازی محدودیتهای رشد عملی مواد نیم‌رسانا و آستانه تخریب اپتیکی لیزر در نظر گرفته شد. برای طول موج 800 نانومتر بهترین عرض چاه کوانتمی 10 نانومتر و درصد مولار 085/0 برای مقدار آلومینیوم تعیین شد. در لیزر پیشنهادی، جریان آستانه 545 میلی آمپر و توانی در حدود 2450 میلی وات حاصل شد.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
