بخش‌های اصلی

اشتراک در خبرنامه

لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.

آمار سایت

  • کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
  • کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
  • میهمانان در حال بازدید: 229 کاربر
  • تمام بازدید‌ها: 22653673 بازدید
  • بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 11288 بازدید

کنفرانس های انجمن 



 

استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.

جلد 22 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و دومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال22 صفحات 203-200 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print

Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Salamatizadeh R, Adelifard M, Ketabi S A. Investigation on structural, morphological and optical properties of WO3/WS2 compound semiconductor thin films. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2016; 22 :200-203
URL: http://opsi.ir/article-1-1114-fa.html
سلامتی زاده روح الله، عدلی فرد مهدی، کتابی سید احمد. بررسی خواص ساختاری، ریخت شناسی و اپتیکی لایه های نازک نیمرسانای ترکیبی WO3/WS2. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1394; 22 () :200-203

URL: http://opsi.ir/article-1-1114-fa.html

بررسی خواص ساختاری، ریخت شناسی و اپتیکی لایه های نازک نیمرسانای ترکیبی WO3/WS2
روح الله سلامتی زاده*1 ، مهدی عدلی فرد1 ، سید احمد کتابی1
1- دانشگاه دامغان
چکیده:   (3434 مشاهده)

لایه های نازک ترکیبی اکسید تنگستن/ سولفید تنگستن (WO3/WS2) بر روی زیرلایه ی شیشه با استفاده از روش شیمیایی افشانه ی تجزیه ی حرارتی و عملیات حرارتی در حضور گازهای آرگون و سولفید هیدروژن تهیه شدند. خواص ساختاری، ریخت شناسی سطح و اپتیکی لایه ها با استفاده از الگوی پراش اشعه ی (XRD)X، میکروسکوپ الکترونی روبشی (FESEM) و طیف سنج UV.Vis مورد بررسی قرار گرفتند. لایه های نازک (WO3/WS2) دارای فازهای اکسیدی مونوکلینیک و سولفیدی هگزاگونال و سطحی تقریباً یکنواخت هستند. ضریب جذب لایه ها در ناحیه ی مرئی از مرتبه ی 104cm-1  می باشد و گاف نواری مستقیم فازهای اکسیدی و سولفیدی به ترتیب در حدود 3/22eV و 2/49eV محاسبه شدند.

واژه‌های کلیدی: اکسید تنگستن، سولفید تنگستن، خواص ساختاری، خواص اپتیکی
متن کامل [PDF 731 kb]   (1106 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کارگاه‌ها و مدارس

(برگزار شد)


 

(برگزار شد)

کارگاه‌های مرتبط با توسعه
کسب و کار فوتونیک
اردیبهشت و خرداد ۱۴۰۴
(برگزار شد)



 

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2025 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb