اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 278 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 22046136 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 29744 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
URL: http://opsi.ir/article-1-1114-fa.html
لایه های نازک ترکیبی اکسید تنگستن/ سولفید تنگستن (WO3/WS2) بر روی زیرلایه ی شیشه با استفاده از روش شیمیایی افشانه ی تجزیه ی حرارتی و عملیات حرارتی در حضور گازهای آرگون و سولفید هیدروژن تهیه شدند. خواص ساختاری، ریخت شناسی سطح و اپتیکی لایه ها با استفاده از الگوی پراش اشعه ی (XRD)X، میکروسکوپ الکترونی روبشی (FESEM) و طیف سنج UV.Vis مورد بررسی قرار گرفتند. لایه های نازک (WO3/WS2) دارای فازهای اکسیدی مونوکلینیک و سولفیدی هگزاگونال و سطحی تقریباً یکنواخت هستند. ضریب جذب لایه ها در ناحیه ی مرئی از مرتبه ی 104cm-1 می باشد و گاف نواری مستقیم فازهای اکسیدی و سولفیدی به ترتیب در حدود 3/22eV و 2/49eV محاسبه شدند.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
