برقراری ارتباط
جلد 22 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و دومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال22 صفحات 203-200 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Salamatizadeh R, Adelifard M, Ketabi S A. Investigation on structural, morphological and optical properties of WO3/WS2 compound semiconductor thin films. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2016; 22 :200-203
URL: http://opsi.ir/article-1-1114-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1114-fa.html
سلامتی زاده روح الله، عدلی فرد مهدی، کتابی سید احمد. بررسی خواص ساختاری، ریخت شناسی و اپتیکی لایه های نازک نیمرسانای ترکیبی WO3/WS2. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1394; 22 () :200-203
1- دانشگاه دامغان
چکیده: (2969 مشاهده)
لایه های نازک ترکیبی اکسید تنگستن/ سولفید تنگستن (WO3/WS2) بر روی زیرلایه ی شیشه با استفاده از روش شیمیایی افشانه ی تجزیه ی حرارتی و عملیات حرارتی در حضور گازهای آرگون و سولفید هیدروژن تهیه شدند. خواص ساختاری، ریخت شناسی سطح و اپتیکی لایه ها با استفاده از الگوی پراش اشعه ی (XRD)X، میکروسکوپ الکترونی روبشی (FESEM) و طیف سنج UV.Vis مورد بررسی قرار گرفتند. لایه های نازک (WO3/WS2) دارای فازهای اکسیدی مونوکلینیک و سولفیدی هگزاگونال و سطحی تقریباً یکنواخت هستند. ضریب جذب لایه ها در ناحیه ی مرئی از مرتبه ی 104cm-1 می باشد و گاف نواری مستقیم فازهای اکسیدی و سولفیدی به ترتیب در حدود 3/22eV و 2/49eV محاسبه شدند.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
