اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 131 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 22573987 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 16454 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال21 صفحات 656-653 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
babaabasi G, mir A, Yavari M. Analysis of Effect of Number of Quantum Dot Layers on Static Characteristics InAs/InP Quantum Dot Laser. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2015; 21 :653-656
URL: http://opsi.ir/article-1-761-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-761-fa.html
باباعباسی غلامرضا، میر علی، یاوری محمد حسن. تحلیل اثر تعداد لایه‌های نقطه کوانتومی بر مشخصه‌های استاتیکی لیزرهای نقطه کوانتومی InAs/InP. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1393; 21 () :653-656
چکیده: (4358 مشاهده)
در این تحقیق رفتار لیزرهای نقطه کوانتومی خودآرای InAs/InP در طول موج 55/1 میکرومتر با در نظر گرفتن حالت پایه و برانگیخته و لحاظ کردن اثرات پهن شدگی همگن و غیر همگن بهره با استفاده از حل معادله نرخ لیزر مدل‌سازی می‌شود. شبیه‌سازی‌ها نشان می‌دهد با افزایش جریان تزریقی وقتی کانال واهلش مستقیم از تراز وتینگ به تراز پایه در نظر گرفته می‌شود، اثر اشباع حالت پایه دیده نمی‌شود، همچنین لیزردهی حالت برانگیخته در طول موج 42/1 میکرو متر ظاهر می‌شود. علاوه بر این، افزایش تعداد لایه‌های نقطه کوانتومی باعث افزایش کارایی کوانتومی شده، ولی متاسفانه افزایش جریان آستانه را در پی دارد.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
