[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال21 صفحات 661-664 برگشت به فهرست نسخه ها
بررسی اثر کندو پاش در لایه‌نشانی فیلم‌های آمورف کربنی
دکتر سمیه مهرابیان*
دانشگاه شاهرود
چکیده:   (1465 مشاهده)
در این تحقیق به بررسی اثر کندوپاش ناشی از برخورد یون‌های پرانرژی با زیرلایه در حین لایه‌نشانی فیلم‌های آمورف کربنی پرداخته می-شود. لذا، حرکت یون‌ها و ذرات خنثی در غلاف پلاسما شبیه‌سازی شده و انرژی آن‌ها در هنگام برخورد با زیرلایه محاسبه می‌گردد. سپس این انرژی بعنوان ورودی در کد SRIM وارد شده و اثر کندوپاش ناشی از آن تحت ولتاژهای بایاس و درجه یونیزاسیون‌های مختلف، بدست می‌آید. نتایج نشان می‌دهد که کندوپاش یون‌های پرانرژی در رشد فیلم‌های آمورف کربنی تاثیر بسزایی ندارد و حتی با افزایش ولتاژ زیرلایه تحت تاثیر کاشت یون‌ها قرار گرفته و مقدار آن کاهش می‌یابد.
واژه‌های کلیدی: فیلم‌های آمورف کربنی، کاشت یون‌ها، کندوپاش، ولتاژ بایاس
متن کامل [PDF 473 kb]   (527 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Mehrabian S. Investigation of the Sputtering Effects on the Amorphous Carbon Films’ Deposition . ICOP & ICPET. 2015; 21 :661-664
URL: http://opsi.ir/article-1-666-fa.html

مهرابیان سمیه. بررسی اثر کندو پاش در لایه‌نشانی فیلم‌های آمورف کربنی . کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1393; 21 () :661-664

URL: http://opsi.ir/article-1-666-fa.html



جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3781