[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال21 صفحات 409-412 برگشت به فهرست نسخه ها
بررسی وابستگی خواص الکترونیکی و اپتیکی ZnSe به فشار بوسیله امواج تخت بهبود یافته خطی
آرش عبدالهی* 1، مقصود گلزان1، کوروش آقایار1
1- دانشگاه ارومیه
چکیده:   (2242 مشاهده)
چکیده – وابستگی خواص الکترونی و اپتیکی سلنید روی به فشار بوسیله نظریه تابعی چگالی و توسط روش موج تخت بهبود یافته خطی مطالعه شده است. با استفاده از تابعی PBESOL، قسمتهای حقیقی و موهومی تابع شکست، تابع دی الکتریک، تابع رسانندگی اپتیکی و ضریب شکست محاسبه شده اند. نتایج بدست آمده نشان میدهد که گاف انرژی ZnSe با افزایش فشار افزایش می یابد. تغییرات گاف انرژی، به خصوص در فشارهای بالا، غیر خطی است. تمام خصوصیات اپتیکی در فشار های مختلف تا 14 گیگاپاسکال محاسبه و با یکدیگر مقایسه شده اند.
واژه‌های کلیدی: نظریه تابعی چگالی، خواص الکترونیکی، خواص اپتیکی، فشار
متن کامل [PDF 733 kb]   (681 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Abdollahi A, Gholzan M, Aghayar K. A study of the Pressure dependence of electronic and optical properties of ZnSe under LAPW method. ICOP & ICPET. 2015; 21 :409-412
URL: http://opsi.ir/article-1-593-fa.html

عبدالهی آرش، گلزان مقصود، آقایار کوروش. بررسی وابستگی خواص الکترونیکی و اپتیکی ZnSe به فشار بوسیله امواج تخت بهبود یافته خطی. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1393; 21 () :409-412

URL: http://opsi.ir/article-1-593-fa.html



جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3781