اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1959 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 419 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21626472 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 17014 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال21 صفحات 412-409 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Abdollahi A, Gholzan M, Aghayar K. A study of the Pressure dependence of electronic and optical properties of ZnSe under LAPW method. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2015; 21 :409-412
URL: http://opsi.ir/article-1-593-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-593-fa.html
عبدالهی آرش، گلزان مقصود، آقایار کوروش. بررسی وابستگی خواص الکترونیکی و اپتیکی ZnSe به فشار بوسیله امواج تخت بهبود یافته خطی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1393; 21 () :409-412
آرش عبدالهی*1 
، مقصود گلزان1 ، کوروش آقایار1
، مقصود گلزان1 ، کوروش آقایار1
1- دانشگاه ارومیه
چکیده: (4461 مشاهده)
چکیده – وابستگی خواص الکترونی و اپتیکی سلنید روی به فشار بوسیله نظریه تابعی چگالی و توسط روش موج تخت بهبود یافته خطی مطالعه شده است. با استفاده از تابعی PBESOL، قسمتهای حقیقی و موهومی تابع شکست، تابع دی الکتریک، تابع رسانندگی اپتیکی و ضریب شکست محاسبه شده اند. نتایج بدست آمده نشان میدهد که گاف انرژی ZnSe با افزایش فشار افزایش می یابد. تغییرات گاف انرژی، به خصوص در فشارهای بالا، غیر خطی است. تمام خصوصیات اپتیکی در فشار های مختلف تا 14 گیگاپاسکال محاسبه و با یکدیگر مقایسه شده اند.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
