[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال21 صفحات 385-388 برگشت به فهرست نسخه ها
بررسی خواص نوری گرافن تحت تغییر پتانسیل شیمیایی
آقای احسان فارسی نیا* 1، دکتر عبدالناصر ذاکری
چکیده:   (2377 مشاهده)
در این مقاله اثر جابجایی پتانسیل شیمیایی بر خواص نوری گرافن در دمای 300 K بررسی شده است که برای این کار رابطه پتانسیل شیمیایی و چگالی الکترونی بر واحد سطح را بدست آورده ایم سپس اثر تزریق الکترون توسط گیت یک ترانزیستور نوری را بر پتانسیل شیمیایی بررسی و اثر آن را بر خواص نوری گرافن تحقیق نموده ایم و در پایان اثر دما بر پتانسیل شیمیایی را مطالعه کردیم. نتایج نشان داد تغییر دما از 0 K به 300 K تغییری برابر 3 mev در 0 V در پتانسیل شیمیایی بوجود آورد.
واژه‌های کلیدی: پتانسیل شیمیایی، ترانزیستور نوری، خواص نوری، گرافن
متن کامل [PDF 516 kb]   (3318 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Farsinia E, Zakery A. Effect of change in chemical potential on optical properties of graphene. ICOP & ICPET. 2015; 21 :385-388
URL: http://opsi.ir/article-1-544-fa.html

فارسی نیا احسان، ذاکری عبدالناصر. بررسی خواص نوری گرافن تحت تغییر پتانسیل شیمیایی. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1393; 21 () :385-388

URL: http://opsi.ir/article-1-544-fa.html



جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3781