برقراری ارتباط
جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال21 صفحات 1032-1029 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Bananej A, Khatiri M, Parsa Z. Improvement of Femtosecond laser induced damage threshold of TiO2 optical films by using controlled annealing process. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2015; 21 :1029-1032
URL: http://opsi.ir/article-1-509-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-509-fa.html
بنانج علیرضا، خطیری مهدیه، پارسا زهره. افزایش آستانه تخریب لیزری لایه های نازک TiO2 در رژیم تابشی لیزرهای فمتوثانیه با کنترل عملیات حرارتی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1393; 21 () :1029-1032
علیرضا بنانج* 
1، مهدیه خطیری1 ، زهره پارسا2
1، مهدیه خطیری1 ، زهره پارسا2
1- سازمان انرژی اتمی ایران- پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای - پژوهشکده لیزر و اپتیک
2- دانشگاه خوارزمی
2- دانشگاه خوارزمی
چکیده: (3859 مشاهده)
به منظور مطالعه آستانه تخریب لیزری، لایه های TiO2 با روش تبخیر بیم الکترونی بر روی زیر لایه Bk7 لایه نشانی شدند. سپس به مدت 3 ساعت با گرادیانهای مختلف دمایی تحت عملیات حرارتی قرار گرفتند. سپس طیف UV_visible نمونه ها و ضریب شکست آنها بدست آمدند و با اطلاعات موجود گاف انرژی هر نمونه محاسبه شد. با استفاده از روابط موجود، مقدارهای عددی گاف انرژی و مقادیر، میزان آستانه تخریب لیزری در محدوده لیزرهای فمتوثانیه در طول موج nm 1030 و عرض پالس 20-500 فمتوثانیه محاسبه شد
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
