[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال21 صفحات 53-56 برگشت به فهرست نسخه ها
تحلیل مشخصات اپتوالکترونیک لیزر ترانزیستوری طول موج کوتاه
بهزاد حکاری* 1، حسن کاتوزیان1، ایمان تقوی2
1- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
2- دانشگاه کاشان
چکیده:   (2243 مشاهده)
چکیده – این مقاله به تحلیل و شبیه سازی مشخصات اپتوالکترونیک لیزر ترانزیستوری تک چاه کوانتومی با قابلیت کارکرد در طول موجهای کوتاه (336nm) می پردازد. یک مدل کنترل بار بر مبنای معادلات نرخ برای یافتن مشخصات اپتوالکترونیک لیزر ترانزیستوری مورد استفاده قرار گرفت. شبیه سازی ها نشان داد که قطعه مربوطه دارای چگالی جریان آستانه ای برابر 12.3kA/cm2 و بهره جریانی در حدود 10.6 می باشد. همچنین 30GHz پهنای باند نوری، پیک رزونانسی زیر 5dB و fmax برابر 53.4GHz برای عرض 15nm چاه کوانتومی و طول کاواک 500mm بدست آمد.
واژه‌های کلیدی: اپتوالکترونیک، پهنای باند نوری، جریان آستانه، چاه کوانتومی، لیزر ترانزیستوری
متن کامل [PDF 469 kb]   (1030 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Analysis of Optoelectronic Characteristics of Short Wavelength Transistor Laser . ICOP & ICPET. 2015; 21 :53-56
URL: http://opsi.ir/article-1-460-fa.html

حکاری بهزاد، کاتوزیان حسن، تقوی ایمان. تحلیل مشخصات اپتوالکترونیک لیزر ترانزیستوری طول موج کوتاه. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1393; 21 () :53-56

URL: http://opsi.ir/article-1-460-fa.html



جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3781