اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 363 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21764527 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 14510 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 8-5 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
gharaati A, zahraei S H. Band Structure Engineering in 2D Photonic Crystal Waveguides Composed of Elliptic Cross Section Elements. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2014; 20 :5-8
URL: http://opsi.ir/article-1-36-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-36-fa.html
قرائتی عبدالرسول، زهرایی سید حسن. مهندسی ساختار نواری در موجبرهای بلور فوتونی دو بعدی متشکل از استوانه های با سطح مقطع بیضوی . مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1392; 20 () :5-8
1- دانشگاه پیام نور
2- دانشگاه سلمان فارسی
2- دانشگاه سلمان فارسی
چکیده: (8823 مشاهده)
در این مقاله به بررسی تأثیر تغییر کشیدگی و عامل پرشدگی، برساختار نواری موجبر بلور فوتونی دو بعدی متشکل از استوانه های دی الکتریک از جنس گالیم آرسناید با سطح مقطع بیضوی در زمینه هوا پرداخته شده است. بنا به نتایج بدست آمده، باثابت نگه داشتن عامل پرشدگی و تغییر کشیدگی المان ها، پهنای نوار گاف تغییر کرده و در بزرگی فرکانس های هدایتی تغییری حاصل نمی شود. از طرفی با ثابت نگه داشتن کشیدگی و افزایش عامل پرشدگی المان ها، پهنای نوار گاف و بزرگی فرکانس های هدایتی کاهش می یابند.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
