اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 291 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21760140 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 12815 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 808-805 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
dehghani M, behjat A, Tajabadi F, Taghavinia N. Very low cost and printable Fabrication methods for CuInS2 thin film solar cell. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2014; 20 :805-808
URL: http://opsi.ir/article-1-330-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-330-fa.html
دهقانی مهدی، بهجت عباس، تاج آبادی فریبا، تقوی نیا نیما. ساخت سلول خورشیدی فیلم نازک نانوساختار مس ایندیوم سولفید با روشهای بسیار ارزان و قابل پرینت. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1392; 20 () :805-808
مهدی دهقانی*1 
، عباس بهجت1 ، فریبا تاج آبادی2 ، نیما تقوی نیا3
، عباس بهجت1 ، فریبا تاج آبادی2 ، نیما تقوی نیا3
1- دانشگاه یزد
2- پژوهشگاه مواد و انرژی
3- دانشگاه صنعتی شریف
2- پژوهشگاه مواد و انرژی
3- دانشگاه صنعتی شریف
چکیده: (9644 مشاهده)
سلولهای خورشیدی فیلم نازک CIGS بعلت پایداری بالا و گاف انرژی متغیر یکی از گزینه‌های مهم برای جانشینی سلولهای سیلیکونی است. در این مقاله نحوه‌ی ساخت یک سلول خورشیدی بر اساس ساختار رولایه گزارش می‌شود. با استفاده از روش اسپری لایه دی اکسید تیتانیوم بعنوان لایه‌ی سد کننده اتصال کوتاه، لایه‌ی ایندیوم سولفید به عنوان لایه‌ی بافر و لایه‌ی جاذب مس ایندیوم سولفید همه به روش اسپری ساخته می‌شوند. از چسب کربنی نیز برای اتصال پشتی استفاده شده است. با استفاده از طیف عبور و جدب گاف انرژی لایه ها بدست آمده است. در آخر با رسم نمودار چگالی جریان بر حسب ولتاژ، بازده 0.47 درصد با این روش بدست آمده است.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
