[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال20 صفحات 705-708 برگشت به فهرست نسخه ها
تاثیر درصد استوکیومتری بر ترازهای انرژی نقطه کوانتومی هرمی شکل In_x Ga_(1-x) As مبتنی بر GaAs
آقا مهدی احمدی* 1، دکتر اسفندیار رجایی، آقا کاوه کیهانی
چکیده:   (3330 مشاهده)
در این مقاله، لبه نوار و ترازهای انرژی نقاط کوانتومی هرمی شکل In_x Ga_(1-x) As روی زیرلایه GaAs بررسی نموده‌ایم. نشان می‌دهیم که با تغییرات درصد استوکیومتری In نسبت به Ga در نقطه کوانتومی مقادیر مجاز انرژی در نقاط افزایش ‌یافته و لبه نوارهای هدایت و رسانش به هم نزدیک‌تر می‌شوند و همچنین طول موج گسیلی نور از ترازها افزایش می‌یابد. نتایج ما بسیار با نتایج تجربی و تئوری‌های پیشین سازگار هستند.
واژه‌های کلیدی: کرنش، لبه نوار، نانوالکترونیک، نقاط کوانتومی
متن کامل [PDF 764 kb]   (699 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Ahmadi Borji M, Rajaei E, Kayhani K. Effect of indium percentage on energy levels of pyramidal In_x Ga_(1-x) As quantum dots on GaAs substrate. ICOP & ICPET. 2014; 20 :705-708
URL: http://opsi.ir/article-1-300-fa.html

احمدی مهدی، رجایی اسفندیار، کیهانی کاوه. تاثیر درصد استوکیومتری بر ترازهای انرژی نقطه کوانتومی هرمی شکل In_x Ga_(1-x) As مبتنی بر GaAs. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1392; 20 () :705-708

URL: http://opsi.ir/article-1-300-fa.html



جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.06 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3781