اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 275 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21750590 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 10415 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 708-705 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Ahmadi Borji M, Rajaei E, Kayhani K. Effect of indium percentage on energy levels of pyramidal In_x Ga_(1-x) As quantum dots on GaAs substrate. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2014; 20 :705-708
URL: http://opsi.ir/article-1-300-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-300-fa.html
احمدی مهدی، رجایی اسفندیار، کیهانی کاوه. تاثیر درصد استوکیومتری بر ترازهای انرژی نقطه کوانتومی هرمی شکل In_x Ga_(1-x) As مبتنی بر GaAs. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1392; 20 () :705-708
چکیده: (5541 مشاهده)
در این مقاله، لبه نوار و ترازهای انرژی نقاط کوانتومی هرمی شکل In_x Ga_(1-x) As روی زیرلایه GaAs بررسی نموده‌ایم. نشان می‌دهیم که با تغییرات درصد استوکیومتری In نسبت به Ga در نقطه کوانتومی مقادیر مجاز انرژی در نقاط افزایش یافته و لبه نوارهای هدایت و رسانش به هم نزدیک‌تر می‌شوند و همچنین طول موج گسیلی نور از ترازها افزایش می‌یابد. نتایج ما بسیار با نتایج تجربی و تئوری‌های پیشین سازگار هستند.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
