اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1970 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 779 کاربر
- تمام بازدیدها: 24899799 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 36362 بازدید
کنفرانس های انجمن
 همایش همایش
 اپتیک و فوتونیک،
 بهمن 1404
 (در مرحله دریافت مقالات)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
            سال 28، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هشتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1400 )                           
            ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS	سال28 صفحات 329-326 |
            برگشت به فهرست نسخه ها
            
            
                    Download citation: 
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
 
					
 
                    
					
                    
                    BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:



 Nejad Zangeneh M,  Ghorashi S,  ghasemi M. Investigation of the effect of V2O5 layer on the optical properties of semitransparent perovskite solar cell based on MoO3/Au/V2O5 electrode.  ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2022; 28 (2) :326-329
URL: http://opsi.ir/article-1-2743-fa.html
  
                    URL: http://opsi.ir/article-1-2743-fa.html
نژادزنگنه مدینه،  قریشی سید محمدباقر،  قاسمی محسن. بررسی تأثیر لایه  V2O5روی ویژگیهای اپتیکی سلول خورشیدی نیمهشفاف پروسکایتی بر پایه الکترود MoO3/Au/V2O5.  مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانسهای انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1400; 28 (2) :326-329  
  
                    چکیده:       (1137 مشاهده)
                    
                    
                    در این کار سلول خورشیدی نیمه شفاف پروسکایتی با الکترود رسانای شفاف MoO3/Au/V2O5 با ساختار Glass/ITO/TiO2/CH3NH3PbI3/Spiro-OMeTAD/MoO3/Au/V2O5  در نظر گرفته شد و با محاسبه ویژگیهای اپتیکی آن با استفاده از اپتیک لایههای نازک و همچنین روش اسمیت، اثر تغییر ضخامت لایه V2O5 روی جذب در لایه فعال و چگالی جریان مدار کوتاه بررسی شد. در نهایت بیشینه چگالی جریان مدار کوتاه برای ضخامت 35 نانومتر  از لایه ضخامت V2O5 به دست آمد.
                    
                    
                    
                    واژههای کلیدی:  الکترود رسانای شفاف، چگالی جریان مدار کوتاه، دی الکتریک/فلز/دی الکتریک، سلول خورشیدی نیمهشفاف پروسکایتی
                    
                    
                    
                    
                    ارسال پیام به نویسنده مسئول
                    
                    | بازنشر اطلاعات | |
|   | این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. | 









 
  
 


