اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 270 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21790370 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 12581 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
سال 28، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هشتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1400 )
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال28 صفحات 532-529 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Ansari N, Sohrabi A, mirbaghestan K. Wavelength adjustability of Defect modes by Altering the Thickness of Defect layers in Defective Photonic Crystal Based on MoS2 Monolayer. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2022; 28 (2) :529-532
URL: http://opsi.ir/article-1-2673-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2673-fa.html
انصاری نرگس، سهرابی عطیه، میرباغستان کیمیا. تنظیم پذیری طول موج مدهای نقص با تغییر ضخامت نقص در بلور فوتونی نقص دار بر پایه ی MoS2. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1400; 28 (2) :529-532
چکیده: (723 مشاهده)
امروزه بلورهای دوبعدی مولیبدن دی سولفات،MoS2، به علت داشتن جذب بالا در ضخامت نانومتری، قابلیت چشمگیری در کاربردهای اپتوالکترونیکی یافته اند. اما همچنان برای استفاده در ابزارهای اپتوالکترونیک لازم است این میزان جذب افزایش یابد. یکی از روش‌های مرسوم برای افزایش جذب، قرارگیری تک‌لا‌یه‌ی MoS2 به صورت نقص در بلور فوتونی می‌باشد. در این مقاله ازساختار بلور فوتونی با سه نقص به صورت DMD که باعث افزایش جایگزیدگی موج در ساختار می شود، استفاده شده است که در آن D و M به ترتیب SiO2 و MoS2 می باشند. تاثیر تغییر ضخامت لایه ی D، بر میزان جذب و طول موج مدهای نقص بررسی شده است. مشاهده می شود تغییر ضخامت لایه ی D، باعث تنظیم پذیری طول موج و بهبود تفکیک پذیری مدهای نقص می شود.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
