برقراری ارتباط
سال 28، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هشتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1400 )
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال28 صفحات 453-450 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Goodarzi R, Hajesmailbaigi F, Bostandoost E, Motamedi A, Razzaghi H. Investigation of the geometry of spontaneous structures after interaction with ultra-short laser pulses. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2022; 28 (2) :450-453
URL: http://opsi.ir/article-1-2578-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2578-fa.html
گودرزی رضا، حاج اسماعیل بیگی فرشته، بستان دوست افتخار، معتمدی اسما، رزاقی حسین. بررسی هندسه ساختارهای خودبه‌خودی پس از اندرکنش با تپ‌های فوق کوتاه. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1400; 28 (2) :450-453
رضا گودرزی* 
1، فرشته حاج اسماعیل بیگی1 ، افتخار بستان دوست1 ، اسما معتمدی1 ، حسین رزاقی1
1، فرشته حاج اسماعیل بیگی1 ، افتخار بستان دوست1 ، اسما معتمدی1 ، حسین رزاقی1
1- پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای
چکیده: (431 مشاهده)
در این تحقیق هندسه ساختارهای خودبه‌خودی تشکیل شده روی سطح ویفر سیلیکون پس از اندرکنش با تپ‌های فمتوثانیه بررسی شده است. در شار انرژی نزدیک آستانه کندوسوز، ساختار تشکیل شده مطابق نیمرخ عرضی لیزر بوده و دایروی است؛ با افزایش انرژی و تعداد تپ، ساختارهای خودبه‌خودی روی سطح ایجاد می‌شوند که در ابتدا شکل منظمی ندارند. با افزایش بیشتر انرژی و تعداد تپ، رفته رفته ساختارهای خودبه‌خودی اشکال هندسی سه ضلعی و چهار ضلعی به خود می‌گیرند. در نهایت، نشان داده شده که با افزایش انرژی منتقل شده به سطح (چه از طریق تعداد تپ و چه با افزایش شار انرژی تپ‌ها)، هندسه ساختارها از حالت اولیه دایروی به شش وجهی منتظم که پایداری بالایی دارد، تبدیل می‌شود.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
