اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 335 کاربر
- تمام بازدیدها: 21790192 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 12578 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
سال 28، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هشتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1400 )
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال28 صفحات 362-359 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:



Esfandiar A. [1] P. Cambou, J.-L. Jaffard, “CMOS Image Sensors - Status of the CMOS Image
Sensor Industry report," Yole Developpment, 2015. M. Lundstrom, Fundamentals of Carrier Transport, p. 44, Cambridge University Press, 2000.
[2] A. Nathan, A. Ahnood, M. T. Cole, Y. Suzuki, P.
Hiralal,F.Bonaccorso,T. Hasan, L. Garcia-Gancedo,
A. Dyadyusha, S. Haque, P. Andrew, S. Hofmann,
J. Moultrie, A. J. Flewitt, A. C. Ferrari, M. J. Kelly,
J.Robertson,G. A. J. Amaratunga, and W. I. Milne,
“Flexible Electronics:The Next biquitous Platform,"
Proceedings of the IEEE,vol.100, pp. 1486-1517,
2012.
[3] Ye, T.; Li, J. Z.; Li, D. H. Charge-accumulation
effect in transition metal dichalcogenide
heterobilayers. Small 2019, 15, 1902424
[4] K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D.
Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva,
A. A. Firsov, Science 2004, 306, 666.
Y. Peng, Z. Meng, C. Zhong, J. Lu, W. Yu, Y. Jia,
Y. Qian, Chem.Lett. 2001, 30, 772.
[6] Luo, H.; Wang, B. L.; Wang, E. Z.; Wang, X. W.;
Sun, Y. F.; Li, Q. Q.; Fan, S. S.; Cheng, C.; Liu, K.
Phase-transitionmodulated, high-performance dualmode photodetectors based on WSe2/VO2
heterojunctions. Appl. Phys. Rev. 2019, 6, 041407
[7] Luo, H.; Wang, B. L.; Wang, E. Z.; Wang, X. W.;
Sun, Y. F.; Liu, K. High-responsivity photovoltaic
photodetectors based on MoTe2/
MoSe2 van der Waals heterojunctions. Crystals
2019, 9, 315.. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2022; 28 (2) :359-362
URL: http://opsi.ir/article-1-2521-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2521-fa.html
اسفندیار علی، کریمی فاطمه، قدس سهیل. رشد کریستال دوبعدی مولیبدن دی سلناید به روش رسوب بخار شیمیایی برای کاربرد در آشکارسازهای نوری. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانسهای انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1400; 28 (2) :359-362
علی اسفندیار*1
، فاطمه کریمی1، سهیل قدس1


1- دانشگاه صنعتی شریف
چکیده: (762 مشاهده)
ویژگی های منحصر به فرد مواد دوبعدی، آن ها را به کاندیدای مناسبی برای آشکارسازهای با کارایی بالا تبدیل کرده است. اگرچه خواص الکترونیکی ویژه و ویژگی های کاتالیستی چندلایه های دوبعدی MoSe2 توجه محققان را به خود جلب کرده است، اما چند لایه های دوبعدی MoSe2 به دلیل جذب بسیار بالای نوری برای کاربرد در آشکارساز ها مناسب تر میباشند. پیش از این تهیه ی لایه های نازک MoSe2 به روش رسوب بخار شیمیایی انجام شده است و روش پیشنهادی در این پژوهش، سبب رشد نانوپوسه های شش ضلعی MoSe2 بر روی زیرلایه ای از Si/SiO2 شده اند. نانوپوسه های رشد یافته مساحت های های نسبتا بزرگی به طول 70 میکرون دارند. تمامی فرآیند رشد در فشار اتمسفر صورت گرفته و دیود نوری بر پایه این ماده ی نیمه رسانا ساخته شده است. مشخصه یابی رامان حاکی از کیفیت بسیار بالای این چند لایه ها می باشد و فاصله ی دو قلهی برجسته ی A1g و E12g در پراکندگی رامان، ضخامتهای دو تا سه لایه ی اتمی را برای نانوپوسه ها تصدیق میکند.
اندازه گیری های اپتوالکترونیکی افزارهی ساخته شده نشان دهندهی کاربرد های وسیع MoSe2 در زمینه ی نانوالکترونیک می باشد. همان طور که نتایج نشان می دهد تحت تابش فوتونی با طول موج های متفاوت ، پاسخ نوری بالا (5 آمپر بر وات) و آشکارکنندگی ویژه قابل ملاحضه (109×6/4) و زمان پاسخ سریع (7 میلی ثانیه) مشاهده شده است. دیود نوری چند لایه ی MoSe2عملکرد بسیار بالایی نشان داده است که با مهندسی مناسب این افزاره میتوان این عملکرد را بهبود بخشید.
اندازه گیری های اپتوالکترونیکی افزارهی ساخته شده نشان دهندهی کاربرد های وسیع MoSe2 در زمینه ی نانوالکترونیک می باشد. همان طور که نتایج نشان می دهد تحت تابش فوتونی با طول موج های متفاوت ، پاسخ نوری بالا (5 آمپر بر وات) و آشکارکنندگی ویژه قابل ملاحضه (109×6/4) و زمان پاسخ سریع (7 میلی ثانیه) مشاهده شده است. دیود نوری چند لایه ی MoSe2عملکرد بسیار بالایی نشان داده است که با مهندسی مناسب این افزاره میتوان این عملکرد را بهبود بخشید.
واژههای کلیدی: مواد دوبعدی، دی کالکوژن فلز واسطه، رسوب دهی بخار شیمیایی، نانوپوسههای MoSe2، آشکارساز نوری
ارسال پیام به نویسنده مسئول
بازنشر اطلاعات | |
![]() |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |