اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1962 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 299 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21909100 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 38952 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
سال 27، شماره 1 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در همایش نانوفوتونیک ایران 1399 )
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال27 صفحات 135-133 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Azizi B, Hosseini S E. Refractive index sensor based on Vernier-effect and cascaded PANDA and single ring resonators. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2020; 27 (1) :133-135
URL: http://opsi.ir/article-1-2277-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2277-fa.html
Azizi Bahram، Hosseini S. Esmail. Refractive index sensor based on Vernier-effect and cascaded PANDA and single ring resonators. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1399; 27 (1) :133-135
1- MSc Student, School of Electrical and Computer Engineering, Shiraz University, Shiraz, Iran
2- Associate Professor, School of Electrical and Computer Engineering, Shiraz University, Shiraz, Iran
2- Associate Professor, School of Electrical and Computer Engineering, Shiraz University, Shiraz, Iran
چکیده: (1430 مشاهده)
A novel optical refractive index sensor is proposed and theoretically investigated by cascading a PANDA and a single ring resonator (RR) based on the Vernier effect. The PANDA acts as a filter in this structure. Also, the RR is a function of the refractive index variation. Therefore, the RR structure acts as a refractive index sensing element in the proposed structure. Detailed modeling and instructions are provided for the design of such devices to increase the sensitivity of optical sensors. These are supposed to be manufactured on platforms compatible with silicon-on-insulator (SOI) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS). It is shown that the proposed sensor reaches ultra-high sensitivity (48.58 µm/RIU), which is more sensitive than the single ring resonator(0.63µm/RIU).
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
