اشتراک در خبرنامه

لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.


آمار سایت

  • کل کاربران ثبت شده: 1962 کاربر
  • کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
  • میهمانان در حال بازدید: 391 کاربر
  • تمام بازدید‌ها: 21909295 بازدید
  • بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 38774 بازدید

کنفرانس های انجمن 



 

استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.

سال 27، شماره 1 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در همایش نانوفوتونیک ایران 1399 )                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال27 صفحات 90-88 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Khatapoosh L, Majidzadeh N, Asgharizadeh S. Influence of interface trap concentration on the performance of MAPbI3 Perovskite solar cells. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2020; 27 (1) :88-90
URL: http://opsi.ir/article-1-2262-fa.html
خطاپوش لادن، مجیدزاده نساء، اصغری زاده سعید. بررسی اثر چگالی تله های سطحی بر عملکرد سلول های خورشیدی پروسکایتی بر پایه MAPbI3. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1399; 27 (1) :88-90

URL: http://opsi.ir/article-1-2262-fa.html


1- پژوهشکده‌ی فیزیک کاربردی و ستاره‌شناسی، دانشگاه تبریز، تبریز، ایران
چکیده:   (1551 مشاهده)
روند رشد بازده سلول های خورشیدی پروسکایتی در مقایسه با سایر سلولهای خورشیدی خیرکننده بوده است. به علت ماهیت جدید و متفاوت مواد پروسکایت، شناخت دقیق مشخصه های این نوع مواد نیاز به پژوهش های گسترده تجربی و نظری است. به خاطر ساختارهای لایه ای این نوع سلول های خورشیدی، بررسی دقیق اثرات بازترکیب سطحی و تله ها برای بهینه سازی بسیار مورد توجه می باشد. در این مقاله با استفاده از حل خودسازگار معادلات پیوستگی جریان و پواسون و با در نظر گرفتن تولید و بازترکیب حاملین بار، اثرات چگالی نقص های سطحی در پیوندگاه MAPbI3/spiro-OMeTAD بر عملکرد سلول های خورشیدی پروسکایتی مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که با افزایش چگالی نقص های سطحی، بازترکیب حاملین در این ناحیه افزایش می یابد که باعث کاهش چگالی حاملین بار شده و در نتیجه جریان کاهش می یابد. نتایج به دست آمده نشان می دهد با افزایش چگالی نقص های سطحی تا میزان  cm-31013 کاهش محسوسی در بازده مشاهده نمی شود ولی با افزایش تدریجی آن، بازده به شدت کاهش می یابد که به خاطر بازترکیب حاملین در نزدیکی لایه رسانای حفره و کاتد می باشد. علاوه بر این، به خاطر بازترکیب حاملین در این نقص ها، جریان و ولتاژ نیز کاهش می یابد.
متن کامل [PDF 543 kb]   (680 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کارگاه‌ها و مدارس

(پایان ثبت نام)



 

(پایان ثبت نام)


کارگاه‌های مرتبط با توسعه
کسب و کار فوتونیک
اردیبهشت و خرداد ۱۴۰۴
(در حال ثبت نام)



 

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2025 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb