اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 233 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21771680 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 14882 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال26 صفحات 1128-1125 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Noroozian Alam S, Zubialevich V, Ghafary B, Parbrook P. Optical and Compositional properties of Indium Aluminium Nitride as a New Active Material for Light Emitting Applications. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2020; 26 :1125-1128
URL: http://opsi.ir/article-1-2204-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2204-fa.html
نوروزیان علم شهاب، زوبیالویچ ویتالی، غفاری بیژن، پاربروک پیتر. بررسی خواص اپتیکی و ترکیبی ایندیوم آلومینیوم نیترید به عنوان یک ماده جدید در گسیلنده های نوری. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1398; 26 () :1125-1128
شهاب نوروزیان علم*1 
، ویتالی زوبیالویچ1 ، بیژن غفاری2 ، پیتر پاربروک1
، ویتالی زوبیالویچ1 ، بیژن غفاری2 ، پیتر پاربروک1
1- موسسه ملی تیندال
2- دانشگاه علم و صنعت ایران
2- دانشگاه علم و صنعت ایران
چکیده: (1567 مشاهده)
ایندیوم آلومینیوم نترید (InAlN) یک ماده نیمه هادی مهم و البته چالشی از دسته نیمه هادی های نیتریدی بوده که اخیرا مورد توجه دانشمندان قرار گرفته است. یکی از چالش های اساسی فرآوری این ماده، مشخص کردن پهنای باند در غلطت های پایین ایندیوم است و هنوز تحقیقات و داده های قابل اتکایی برای آن وجود ندارد. در اینجا، چاه های کوانتومی به روش اپیتکسیال بر روی زیرلایه از جنس آلومینا رشد داده شده و مشاهده شد که در طول موج های بین 300 الی 350 نانومتر نور گسیل می کنند. همچنین لایه های با ضخامت حدود 100 نانومتر رشد داده شده و پهنای نواری InAlN بوسیله فتولومینسانس اندازه گیری شد. مشاهده شد که با افزایش دمای رشد از غلظت ایندیوم کاسته شده و همچنین با افزایش غلظت ایندیوم پهنای باند به سرعت و بصورت غیر خطی کاهش می یابد.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
