|
اثر تابش گاما با نرخ دز بسیار کم بر آشکارساز فرابنفش GaN برای کاربردهای فضایی
|
| لیلا برغمدی*1، شهاب نوروزیان علم1، سید حسن صدیقی1، بیژن غفاری1 |
| 1- دانشگاه علم و صنعت ایران |
|
|
چکیده: (26 مشاهده) |
| آشکارساز نوری فرابنفش MSM بر پایه لایه همبافته GaN نوع n ساخته شده است. تاثیر تابش گاما از منبع Co60 با نرخ تابش بسیار کم rad(Si)/s0001/0 در دمای اتاق بر جریان الکتریکی آشکارساز مورد بررسی قرارگرفته است. برخلاف مشاهدات قبلی، افزایش و سپس کاهش تدریجی جریان تاریک با افزایش دز تابش گاما بهوضوح مشاهده شد. با بهکار گیری سازوکار انتقال حاملها در حالتهای جایگزیده، تولید حاملها توسط تابش و سپس به دام افتادن آنها در نقصهای شبکه، یک توضیح پیشنهادی برای رفتار نمودار مشخصه ولتاژ-جریان آشکارساز ارائه گردید. نتایج حاصله برای درک چگونگی برهمکنش فوتونهای گاما با لایه همبافته n-GaN بسیار مهم است. |
|
| واژه‌های کلیدی: آشکارساز نوری، GaN، گاما، جریان تاریک |
|
|
متن کامل [PDF 413 kb]
(3 دریافت)
|
|
نوع مطالعه: پژوهشي |
موضوع مقاله:
تخصصی
|
|
|
|
|
|
|
| ارسال نظر درباره این مقاله |
|
|
|
