جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC سال26 صفحات 585-588 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Barghamadi L, Norouzian Alam S, Sedighy S H, Ghafary B. Effect of 60Co γ-irradiation at very low dose rate on n-GaN UV photodetector for space applications. ICOP & ICPET _ INPC. 2020; 26 :585-588
URL: http://opsi.ir/article-1-2125-fa.html
برغمدی لیلا، نوروزیان علم شهاب، صدیقی سید حسن، غفاری بیژن. اثر تابش گاما با نرخ دز بسیار کم بر آشکارساز فرابنفش GaN برای کاربردهای فضایی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1398; 26 () :585-588

URL: http://opsi.ir/article-1-2125-fa.html


1- دانشگاه علم و صنعت ایران
چکیده:   (448 مشاهده)
آشکارساز نوری فرابنفش MSM بر پایه لایه هم­بافته GaN نوع n ساخته شده­ است. تاثیر تابش گاما از منبع Co60  با نرخ تابش بسیار کم   rad(Si)/s0001/0 در دمای اتاق بر جریان الکتریکی آشکارساز مورد بررسی قرارگرفته است. برخلاف مشاهدات قبلی، افزایش و سپس کاهش تدریجی جریان تاریک با افزایش دز تابش گاما به­وضوح مشاهده شد. با به­کار ­گیری سازوکار انتقال حامل­ها در حالت­های جایگزیده، تولید حامل­ها توسط تابش و سپس به دام افتادن آن­ها در نقص­های شبکه، یک توضیح پیشنهادی برای رفتار نمودار مشخصه ولتاژ-جریان آشکارساز ارائه گردید. نتایج حاصله برای درک چگونگی برهم­کنش فوتون­های گاما با لایه هم­بافته n-GaN بسیار مهم است.
واژه‌های کلیدی: آشکارساز نوری، GaN، گاما، جریان تاریک
متن کامل [PDF 413 kb]   (44 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2021 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb