[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال26 صفحات 585-588 برگشت به فهرست نسخه ها
اثر تابش گاما با نرخ دز بسیار کم بر آشکارساز فرابنفش GaN برای کاربردهای فضایی
لیلا برغمدی*1، شهاب نوروزیان علم1، سید حسن صدیقی1، بیژن غفاری1
1- دانشگاه علم و صنعت ایران
چکیده:   (171 مشاهده)
آشکارساز نوری فرابنفش MSM بر پایه لایه هم­بافته GaN نوع n ساخته شده­ است. تاثیر تابش گاما از منبع Co60  با نرخ تابش بسیار کم   rad(Si)/s0001/0 در دمای اتاق بر جریان الکتریکی آشکارساز مورد بررسی قرارگرفته است. برخلاف مشاهدات قبلی، افزایش و سپس کاهش تدریجی جریان تاریک با افزایش دز تابش گاما به­وضوح مشاهده شد. با به­کار ­گیری سازوکار انتقال حامل­ها در حالت­های جایگزیده، تولید حامل­ها توسط تابش و سپس به دام افتادن آن­ها در نقص­های شبکه، یک توضیح پیشنهادی برای رفتار نمودار مشخصه ولتاژ-جریان آشکارساز ارائه گردید. نتایج حاصله برای درک چگونگی برهم­کنش فوتون­های گاما با لایه هم­بافته n-GaN بسیار مهم است.
واژه‌های کلیدی: آشکارساز نوری، GaN، گاما، جریان تاریک
متن کامل [PDF 413 kb]   (20 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Barghamadi L, Norouzian Alam S, Sedighy S H, Ghafary B. Effect of 60Co γ-irradiation at very low dose rate on n-GaN UV photodetector for space applications. ICOP & ICPET. 2020; 26 :585-588
URL: http://opsi.ir/article-1-2125-fa.html

برغمدی لیلا، نوروزیان علم شهاب، صدیقی سید حسن، غفاری بیژن. اثر تابش گاما با نرخ دز بسیار کم بر آشکارساز فرابنفش GaN برای کاربردهای فضایی. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1399; 26 () :585-588

URL: http://opsi.ir/article-1-2125-fa.html



جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 4162