|
افزایش جذب و پهنای جذب TMDCها با استفاده از بلور فوتونی
|
| نرگس انصاری*1، کیمیا فلاح1، انسیه محبی1 |
| 1- دانشگاه الزهرا |
|
|
چکیده: (37 مشاهده) |
| امروزه بلور‌های دوبعدی کلکوژناید‌های فلزات واسطه (TMDCs) به علت گاف نواری مستقیم و جذب قابل توجه در ناحیه‌ی مرئی در دستگاه‌های اپتوالکترونیکی بسیار مورد توجه قرار گرفته‌اند. استفاده از TMDC ها در ساختار‌های بلوری باعث افزایش جذب و کارایی آن‌ها خواهد شد. در این مقاله، به منظور طراحی ساختاری با جذب بالا در بازه‌ی گسترده‌ای از طول موج، تاثیر قرارگیری TMDCها در سه ساختار بلور فوتونی شامل SiO2، Si3N4 و TMDC با بهره‌گیری از روش ماتریس انتقال بررسی شده است. چهار ماده‌ی TMDCمورد بررسی مولیبدن دی سولفید (MoS2)، مولیبدن دی سلنیوم (MoSe2)، تنگستن دی سولفید (WS2) و تنگستن دی سلنیوم (WSe2) می‌باشند که در بهترین ساختار به جذب بالا‌ی 66% (۹۲٪) در بازه‌ی 400-700 نانومتر (۴۰۰-۵۳۰ نانومتر) دست یافتهایم. |
|
| واژه‌های کلیدی: بلورفوتونی، پهنای جذب، تک‌لایه‌ها‌ی کلکوژناید فلزات واسطه، جذب |
|
|
متن کامل [PDF 445 kb]
(7 دریافت)
|
|
نوع مطالعه: پژوهشي |
موضوع مقاله:
تخصصی
|
|
|
|
|
|
|
| ارسال نظر درباره این مقاله |
|
|
|
