برقراری ارتباط
جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال26 صفحات 1008-1005 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Sepahban Shahgoli S, Akhtariyan far S F, Shojaei S. Engineering of Schottky Barrier Height in Graphene -Transition Metal Dichalgocenide-based Heterostructures. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2020; 26 :1005-1008
URL: http://opsi.ir/article-1-2051-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2051-fa.html
سپه بان شاهگلی صبا، اختریان فر سید فرشاد، شجاعی سعید. مهندسی ارتفاع سد شاتکی در ساختار های هیبریدی گرافن-دی‌چالکوجناید فلزات واسطه دو بعدی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1398; 26 () :1005-1008
1- دانشگاه تبریز
چکیده: (1371 مشاهده)
مواد دوبعدی دی‌چالکوجناید فلزات واسطه، مواد جدید در حال ظهور هستند که خصوصیات آن‌ها سبب جذاب شدن آن‌ها برای کاربرد‌های نانو فوتونیکی و نانو الکترونیکی شده است. همین‌طور مواد دوبعدی مانند گرافن که شبه فلز است، اگر با نیم‌رساناهای دوبعدی ترکیب شود، ساختار‌ها‌ی هیبریدی واندروالسی تشکیل می‌دهد که این افزاره‌ها دارای رفتارهای غیرقابل‌پیش‌بینی است. ما، در این مقاله به‌صورت نظری ساختار هیبریدی متشکل از گرافن و دی‌سولفید تنگستن را مدل بندی کرده‌ایم که پیوند این دو ایجاد سد شاتکی می‌کند. اعمال میدان خارجی ارتفاع سد شاتکی را از مقدار اولیه به الکترون‌ولت تغییر می‌دهد که سبب افزایش جریان اشباع معکوس از مقدار اولیه تا آمپر شده است و پیرو آن جریان ترومویونی افزایش خواهد داشت که قابلیت بهره‌برداری از این ساختار ها در آشکارسازی برای افزایش پاسخ‌دهی نوری و بهره را ممکن می‌سازد.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
