اشتراک در خبرنامه

لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.


آمار سایت

  • کل کاربران ثبت شده: 2003 کاربر
  • کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
  • میهمانان در حال بازدید: 609 کاربر
  • تمام بازدید‌ها: 27816524 بازدید
  • بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 22107 بازدید

کنفرانس های انجمن 

  • تا اطلاع ثانوی
  • برگزار نمیشود. 
  • تاریخهای جدید
  • متعاقبا اعلام
  • خواهند شد. 


 

استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.

جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال26 صفحات 1008-1005 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Sepahban Shahgoli S, Akhtariyan far S F, Shojaei S. Engineering of Schottky Barrier Height in Graphene -Transition Metal Dichalgocenide-based Heterostructures. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2020; 26 :1005-1008
URL: http://opsi.ir/article-1-2051-fa.html
سپه بان شاهگلی صبا، اختریان فر سید فرشاد، شجاعی سعید. مهندسی ارتفاع سد شاتکی در ساختار های هیبریدی گرافن-دی‌چالکوجناید فلزات واسطه دو بعدی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1398; 26 () :1005-1008

URL: http://opsi.ir/article-1-2051-fa.html


1- دانشگاه تبریز
چکیده:   (2450 مشاهده)
مواد دوبعدی دی‌چالکوجناید فلزات واسطه،  مواد جدید در حال ظهور هستند که خصوصیات آنها سبب جذاب شدن آن‌ها برای کاربرد‌های نانو فوتونیکی و نانو الکترونیکی شده است. همین‌طور مواد دوبعدی مانند گرافن که شبه فلز است، اگر با نیمرساناهای دوبعدی ترکیب شود، ساختار‌های هیبریدی واندروالسی تشکیل می‌دهد که این افزاره‌ها دارای رفتارهای غیرقابل‌پیش‌بینی است. ما، در این مقاله به‌صورت نظری ساختار هیبریدی متشکل از گرافن و دی‌سولفید تنگستن  را مدل بندی کرده‌ایم که پیوند این دو ایجاد سد شاتکی می‌کند. اعمال میدان خارجی ارتفاع سد شاتکی را از مقدار اولیه  به  الکترون‌ولت تغییر می‌دهد که سبب افزایش جریان اشباع معکوس از مقدار اولیه  تا  آمپر شده است و پیرو آن جریان ترومویونی افزایش خواهد داشت که قابلیت بهره‌برداری از این ساختار ها در آشکارسازی برای افزایش پاسخ‌دهی نوری  و بهره را ممکن می‌سازد.
متن کامل [PDF 417 kb]   (842 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کارگاه‌ها و مدارس

(برگزار شد)



 

(برگزار شد)


کارگاه‌های مرتبط با توسعه
کسب و کار فوتونیک
اردیبهشت و خرداد ۱۴۰۴
(برگزار شد)



 

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2026 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb