برقراری ارتباط
جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال26 صفحات 1040-1037 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Pourgorban N, Moslemi F, Jamshidi-ghaleh K. One-Way Absorption Behavior in Ternary PC Containing Graphene and MoS2 Defect Layer. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2020; 26 :1037-1040
URL: http://opsi.ir/article-1-2043-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2043-fa.html
پورقربان نیر، مسلمی فاطمه، جمشیدی قلعه کاظم. رفتار جذب یکسویه در بلور فوتونی سه تایی شامل گرافن و لایه نقص MoS2. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1398; 26 () :1037-1040
نیر پورقربان* 
1، فاطمه مسلمی1 ، کاظم جمشیدی قلعه1
1، فاطمه مسلمی1 ، کاظم جمشیدی قلعه1
1- دانشگاه شهید مدنی آذربایجان
چکیده: (1398 مشاهده)
تکلایههای گرافن و مولیبدینییوم دیسولفاید (MoS2) بهتنهایی به دلیل ضخامت کم جذب ناچیزی دارند. ترکیب این نوع مواد در ساختار بلور فوتونی میتواند سبب افزایش جذب ساختار شود. در این کار، ساختاری از بلور فوتونی با تناوب سهتایی بهشکل (ABG)n CMoS2C (GBA)m پیشنهاد شده که در آن لایههای A، B و C مواد دیالکتریک،G نشان دهنده لایه گرافن وترکیب CMoS2C به عنوان لایهی نقص میباشند. طیف جذبی ساختار با استفاده از روش ماتریس انتقال بررسی شده است. نتایج نشان میدهند که ساختار فوق در ناحیه طیف مرئی رفتار جذب یکسویه دارد. اثر مکان لایهی نقص، قطبش و راستای میدان تابشی در رفتار جذب یکسویه مطالعه و بهینه شده است. مکان مد جذبی مستقل از نوع قطبش بوده ولی شدت پیک و پهنای آن در قطبش TE بسته به جهت تابش با تغییر زاویه رفتار متفاوت دارد. لازم به ذکر است که وجود لایه گرافن باعث افزایش جذب ساختار میشود.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
