جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC سال26 صفحات 289-292 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Ansari N, Mirbaghestan K. Effect of Symmetric and Antisymmetric Defective Photonic Crystal with MoS2 Monolayer on Defect Mode. ICOP & ICPET _ INPC. 2020; 26 :289-292
URL: http://opsi.ir/article-1-2039-fa.html
انصاری نرگس، میرباغستان کیمیا. اثر بلور فوتونی نقص‌دار متقارن و نامتقارن شامل تک‌لایه‌ی MoS2 بر ‌مد نقص. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1398; 26 () :289-292

URL: http://opsi.ir/article-1-2039-fa.html


1- دانشگاه الزهرا
چکیده:   (424 مشاهده)
امروزه بلورهای دو بعدی موبیلدیم دی سولفات MoS2 به علت داشتن جذب بالا با وجود ضخامت نانومتری‌یشان، بسیار مورد توجه قرار گرفته‌اند. یکی از روش‌های مرسوم برای افزایش جذب، قرارگیری تک ‌لا‌یه‌ی MoS2 به صورت نقص در بلور فوتونی می‌باشد. در این مقاله بلور، جذب های فوتونی نقص‌دار با ساختارهای نامتقارن و متقارن برای  نقص به دو صورت MDM و DMD با یکدیگر مقایسه شده‌اند. با تغییر ضخامت لایه‌ی نقص D، اثر آن بر روی طول موج مد نقص بررسی گردید. جذب ساختارها با استفاده از روش ماتریس انتقال بدست می‌آید. با استفاده از ساختارهای پیشنهادی می‌توان به جذب بالای 93 درصد در طول موج طراحی و حدود 90 درصد در طول موج‌های لبه‌های گاف نواری با تغییر در ضخامت لایه‌ی نقص رسید.
متن کامل [PDF 506 kb]   (48 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2021 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb