اشتراک در خبرنامه

لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.


آمار سایت

  • کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
  • کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
  • میهمانان در حال بازدید: 211 کاربر
  • تمام بازدید‌ها: 21771740 بازدید
  • بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 14867 بازدید

کنفرانس های انجمن 



 

استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.

جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال26 صفحات 292-289 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Ansari N, Mirbaghestan K. Effect of Symmetric and Antisymmetric Defective Photonic Crystal with MoS2 Monolayer on Defect Mode. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2020; 26 :289-292
URL: http://opsi.ir/article-1-2039-fa.html
انصاری نرگس، میرباغستان کیمیا. اثر بلور فوتونی نقص‌دار متقارن و نامتقارن شامل تک‌لایه‌ی MoS2 بر ‌مد نقص. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1398; 26 () :289-292

URL: http://opsi.ir/article-1-2039-fa.html


1- دانشگاه الزهرا
چکیده:   (1862 مشاهده)
امروزه بلورهای دو بعدی موبیلدیم دی سولفات MoS2 به علت داشتن جذب بالا با وجود ضخامت نانومتری‌یشان، بسیار مورد توجه قرار گرفته‌اند. یکی از روش‌های مرسوم برای افزایش جذب، قرارگیری تک ‌لا‌یه‌ی MoS2 به صورت نقص در بلور فوتونی می‌باشد. در این مقاله بلور، جذب های فوتونی نقص‌دار با ساختارهای نامتقارن و متقارن برای  نقص به دو صورت MDM و DMD با یکدیگر مقایسه شده‌اند. با تغییر ضخامت لایه‌ی نقص D، اثر آن بر روی طول موج مد نقص بررسی گردید. جذب ساختارها با استفاده از روش ماتریس انتقال بدست می‌آید. با استفاده از ساختارهای پیشنهادی می‌توان به جذب بالای 93 درصد در طول موج طراحی و حدود 90 درصد در طول موج‌های لبه‌های گاف نواری با تغییر در ضخامت لایه‌ی نقص رسید.
متن کامل [PDF 506 kb]   (471 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کارگاه‌ها و مدارس

(پایان ثبت نام)



 

(پایان ثبت نام)


کارگاه‌های مرتبط با توسعه
کسب و کار فوتونیک
اردیبهشت و خرداد ۱۴۰۴
(در حال ثبت نام)



 

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2025 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb