برقراری ارتباط
جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال26 صفحات 288-285 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Ansari N, Mirbaghestan K. DesigningPerfect Absorber withWavelength-AdjustableBy Using Monolayer MoS2 in Defective Photonic Crystals. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2020; 26 :285-288
URL: http://opsi.ir/article-1-2038-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2038-fa.html
انصاری نرگس، میرباغستان کیمیا. طراحی جاذب کامل تنظیمپذیر با تک لایهی MoS2 در بلور فوتونی نقصدار. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانسهای انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1398; 26 () :285-288
1- دانشگاه الزهرا
چکیده: (1566 مشاهده)
امروزه بلورهای دوبعدی موبیلدیم دی سولفات MoS2، قابلیت چشمگیری در کاربردهای اپتوالکترونیکی نشان دادهاند. در این مقاله در راستای رسیدن به ساختاری با جذب بالا و قابلیت تنظیمپذیری، از بلور فوتونی نقص دار با ساختار {(AB)p MDM (AB)q} استفادهشده است که نقص در آن بهصورت MoS2/D/MoS2 در نظر گرفتهشده است و p و q به ترتیب تناوب بلور فوتونی بالا و پایین نقص را نشان میدهد. از روش ماتریس انتقال برای محاسبهی جذب استفادهشده است. برای دستیابی به جذب بالا، دوره تناوب بلور فوتونی بالا و پایین نقص و ضخامت لایهی نقص بهینه گردید. با استفاده از ساختار پیشنهادی میتوان به جذب تقریبا کامل بالای 97 درصد با قابلیت تنظیمپذیری طولموج مد نقص با تغییر در ضخامت لایهی D رسید که با افزایش ضخامت لایهی D، طولموج مد نقص انتقال به سرخ دارد.
واژههای کلیدی: بلور فوتونی نقص دار، جذب، روش ماتریس انتقال، تنظیمپذیری طولموج، موبیلدیم دی سولفات
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
