|
مطالعه چرخش کر در ساختارGraphene/SiC/Al در ناحیهی تراهرتز
|
| صبرا مرادی*1، رضا عبدی قلعه1، بیتا رومی1، امیر مدنی1 |
| 1- دانشگاه بناب |
|
|
چکیده: (59 مشاهده) |
| در این مقاله، طیفهای بازتاب، چرخش کر و بیضیگونگی آن در ساختار سه لایهای متشکل از گرافن، سیلیکون کربید و آلومینیم در ناحیهی فرکانسی تراهرتز مطالعه شده است. با استفاده از روش ماتریس انتقال 4 4 طیفهای ساختارGraphene/SiC محاسبه و با طیفهای ساختار Graphene/SiC/Al مقایسه شده است. نتایج نشان میدهد که طیفهای بازتاب هر دو ساختار دارای رفتار تشدیدی است، ولی در ساختار حاوی Al مقدار بازتاب در فرکانسهای مشابه متفاوت است. همچنین رفتار تشدیدی در طیفهای چرخش کر و بیضیگونگی هر دو ساختار نیز مشاهده میشود که با به کار گرفتن Al، مقدار بیشینهی آنها تغییر یافته است. همچنین با افزایش شدت میدان مغناطیسی خارجی، رفتار طیفهای چرخش کر و بیضیگونگی نیز تغییر میکنند. |
|
| واژه‌های کلیدی: گرافن، چرخش کر، بازتاب. |
|
|
متن کامل [PDF 534 kb]
(6 دریافت)
|
|
نوع مطالعه: پژوهشي |
موضوع مقاله:
تخصصی
|
|
|
|
|
|
|
| ارسال نظر درباره این مقاله |
|
|
|
