[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال25 صفحات 1121-1124 برگشت به فهرست نسخه ها
طراحی و مشخصه‌یابی یک مدولاتور فاز سیلیکونی جدید مبتنی بر ساختار تخلیه حامل جانبی
محمد صادق میرزایی*1، حمیدرضا مشایخی1، محمد حسین زندی1
1- دانشگاه شهید باهنر، کرمان
چکیده:   (231 مشاهده)
در این مقاله، از طریق شبیه سازی­های الکتریکی و نوری، یک مدولاتور فاز سیلیکونی تخلیه حامل فشرده در طول موج µm3/1 ارائه می­شود. شیفت­دهنده فاز، متشکل از یک پیوند  PNجانبی بایاس معکوس با طول mµ 120 است. با طراحی دقیق پیوند PN، بازده مدولاسیون محاسبه شده، مقادیر بین 02/1 و V.cm2/2 را در بر می­گیرد. اتلاف نوری این شیفت­دهنده فاز فشرده در V4 برابر dB/cm49/2 است. هم­چنین این ساختار عملکرد سرعت بالا GHz30 را فراهم می­کند. بهبود بیشتر در عملکرد آن در مقایسه با شیفت­دهنده­های فاز پیشین، حاصل می­شود.
واژه‌های کلیدی: فوتونیک سیلیکونی، مدولاسیون نوری، اثر تخلیه حامل، شیفت‌دهنده فاز سیلیکونی
متن کامل [PDF 677 kb]   (47 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Mirzaei M S, Mashayekhi H, Zandi M H. Design and Characterization of a Novel Silicon Phase Modulator based on the Lateral Carrier Depletion Structure . ICOP & ICPET. 2019; 25 :1121-1124
URL: http://opsi.ir/article-1-1850-fa.html

میرزایی محمد صادق، مشایخی حمیدرضا، زندی محمد حسین. طراحی و مشخصه‌یابی یک مدولاتور فاز سیلیکونی جدید مبتنی بر ساختار تخلیه حامل جانبی . کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1397; 25 () :1121-1124

URL: http://opsi.ir/article-1-1850-fa.html



جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.06 seconds with 31 queries by YEKTAWEB 3991