[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال25 صفحات 501-504 برگشت به فهرست نسخه ها
تأثیر بی‌نظمی در ضخامت لایه بر طول جایگزیدگی اندرسون در بلورهای فوتونی مغناطیسی
مهرناز سرابندی*1، مجتبی گلشنی1، مهدی زمانی1
1- دانشگاه شهید باهنر کرمان
چکیده:   (27 مشاهده)
در این مقاله جایگزیدگی اندرسون در ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی با ضخامت لایه­های تصادفی به صورت عددی برای طول موجی واقع در میانه­­ی گاف فوتونی (1550 نانومتر) بررسی شده است. طول جایگزیدگی اندرسون برای مقادیر مختلف بی­نظمی مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج نشان می­دهند که طول جایگزیدگی به عنوان  تابعی از پارامتر چرخش مگنتو اپتیکی برای  قطبش­های دایروی راستگرد و چپگرد  متفاوت بوده و به ترتیب  به صورت خطی افزایش و کاهش می­یابند. همچنین، با افزایش بی­نظمی طول جایگزیدگی نیز افزایش می­یابد.
واژه‌های کلیدی: بلور فوتونی مغناطیسی، بی‌نظمی در ضخامت لایه، جایگزیدگی اندرسون
متن کامل [PDF 1056 kb]   (9 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Sarabandi M, Golshani M, Zamani M. Effect of random thickness on Anderson localization in magnetophotonic crystals. ICOP & ICPET. 2019; 25 :501-504
URL: http://opsi.ir/article-1-1849-fa.html

سرابندی مهرناز، گلشنی مجتبی، زمانی مهدی. تأثیر بی‌نظمی در ضخامت لایه بر طول جایگزیدگی اندرسون در بلورهای فوتونی مغناطیسی. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1397; 25 () :501-504

URL: http://opsi.ir/article-1-1849-fa.html



جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.06 seconds with 31 queries by YEKTAWEB 3921