برقراری ارتباط
جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال25 صفحات 500-497 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Fathzadeh A, Abdollahi nezhand B, Moravvej farshi M K. Bandgap Engineering of Perovskite via Vapor-Assisted Solution Process (VASP). ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2019; 25 :497-500
URL: http://opsi.ir/article-1-1833-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1833-fa.html
فتح زاده عاطفه، عبدالهی نژند بهرام، مروج فرشی محمد کاظم. مهندسی گاف انرژی پروسکایت با فرایند وَسپ. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1397; 25 () :497-500
1- دانشگاه تربیت مدرس
چکیده: (1603 مشاهده)
در این مقاله، به بررسی اثر ترکیب‌های آلی هالوژنهای برم و ید بر اندازه‌ی گاف انرژی پروسکایت در روش لایه نشانی وَسپ[i] می‌پردازیم. برای مهندسی گاف انرژی با این روش، ابتدا لایههای PbBrxI2−x (x=0, 1, 2) را با روش چرخشی بر بستر مزو TiO2 نشانده و برای رسیدن به دما و زمان بهینه، در دماها ومدت‌های گونان در معرض بخار MABr قرار میدهیم. با این روش، به دلیل استفاده از بخارهای نمک متیل آمین، لایههای پروسکایت کندتر و در نتیجه با سطحی هموارتر و دانههای درشت‌تر تشکیل خواهند شد. به‌علاوه، با توجه به امکان سنتز انبوه لایههای پروسکایت در ابعاد بزرگ و مصرف بهینه مواد در این فرایند، روش وَسپ از روش لایه نشانی چرخشی دو مرحله‌ای متداول در ساخت لایههای پروسکایت ارزانتر است و یکی از موانع تولید انبوه سلول‌های خورشیدی پروسکایتی را از سر راه برمی‌دارد.
[i] Vapor-assisted solution process (VASP)
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
