اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 2001 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 290 کاربر
- تمام بازدیدها: 27435541 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 20474 بازدید
کنفرانس های انجمن
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال25 صفحات 108-105 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Mohammadrezaei M, Hatefi kargan N. Simulation of a MSM Ultraviolet Photodetector Based on GaN. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2019; 25 :105-108
URL: http://opsi.ir/article-1-1782-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1782-fa.html
محمدرضایی محمد، هاتفی کرگان ناصر. شبیهسازی آشکارساز فرابنفش MSM پلاسمونی مبتنی بر GaN . مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانسهای انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1397; 25 () :105-108
1- دانشگاه سیستان و بلوچستان
چکیده: (3029 مشاهده)
در عصر حاضر به علت پیچیده بودن مسائل و هندسهها استفاده از روشهای عددی برای حل مسائل بسیار گسترش یافته است. محاسبات عددی ابزار کارآمدی برای مهندسی افزارههای نیمرسانا میباشد. در این تحقیق از روش المان محدود (FEM) برای شبیهسازی آشکارساز MSM پلاسمونی استفاده شده است. از معادلات پایه نیمرسانا و الکترومغناطیس، برای محاسبه عملکرد این افزاره الکترونیکی استفاده شده است. در ولتاژ بایاس V 10 چگالی جریان تاریک بدست آمده از ساختار شبیهسازی شده 2A/cm 12-10×5 و جریان نوری آن 2A/cm 5-10×8 میباشد. با استفاده از یک شبکه پلاسمونی بر روی سطح آشکارساز جریان نوری آشکارساز با افزایش قابل ملاحظهای در ولتاژ بایاس V 10 به مقدار 2A/cm 4-10×5/1 رسید ولی تغییر در جریان تاریک قابل اغماض است.
| بازنشر اطلاعات | |
|
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |










