اشتراک در خبرنامه

لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.


آمار سایت

  • کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
  • کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
  • میهمانان در حال بازدید: 273 کاربر
  • تمام بازدید‌ها: 22502122 بازدید
  • بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 15699 بازدید

کنفرانس های انجمن 



 

استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.

جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال25 صفحات 176-173 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Shoorian S, Jafari H, Feghhi S A. Investigating and Calculating of Silicon Displacement defect due to irradiation on Photodiodes Using Carrier Lifetime Changes . ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2019; 25 :173-176
URL: http://opsi.ir/article-1-1781-fa.html
شوریان سارا، جعفری حمید، فقهی سید امیرحسین. بررسی و محاسبه اثر نقص جابجایی اتم های سیلیکونی ناشی از تابش بر روی قطعات فوتودیودی با استفاده از تغییرات طول عمر حامل‌ها. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1397; 25 () :173-176

URL: http://opsi.ir/article-1-1781-fa.html


1- دانشگاه شهید بهشتی
چکیده:   (2345 مشاهده)
فوتودیودها بعنوان ساختار پایه بسیاری از قطعات مورد استفاده در ارتباطات نوری ممکن است تحت تابش یونیزان قرار گیرند. در این کار تاثیر PKAهایی با انرژی­های مختلف( eV 50، eV 100 و eV 200، eV 500 و eV 1000 ) بر ساختار سیلیکونی یک فوتودیود بررسی شده است. تاثیرات میکروسکوپی PKA ها بر ساختار سیلیکونی که با عث ایجاد نقص های فرنکل و ایجاد سطوح جدید انرژی در باند ممنوعه این نیمه­هادی می شود، توسط نرم افزار دینامیک مولکولی LAMMPS بررسی شده است. تغییرات ماکروسکوپی این قطعه که ناشی از گیراندازی حامل­های بار در تله­های بوجود آمده می باشد، منجر به کاهش جریان کاتد و به دنبال آن بهره کوانتومی فوتودیود می شود که توسط نرم افزار SILVACO شبیه سازی و محاسبه شده است. بنابراین با توجه به تاثیرگذاری بر ضریب اطمینان داده­های حاصل شده از این قطعات، می بایستی این افت ناشی از تابش در هنگام طراحی مدارات و همچنین تحلیل نتایج در نظر گرفته شود
متن کامل [PDF 729 kb]   (771 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کارگاه‌ها و مدارس

(برگزار شد)



 

(برگزار شد)


کارگاه‌های مرتبط با توسعه
کسب و کار فوتونیک
اردیبهشت و خرداد ۱۴۰۴
(برگزار شد)



 

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2025 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb