|
بررسی و محاسبه اثر نقص جابجایی اتم های سیلیکونی ناشی از تابش بر روی قطعات فوتودیودی با استفاده از تغییرات طول عمر حامل‌ها
|
| سارا شوریان*1، حمید جعفری1، سید امیرحسین فقهی1 |
| 1- دانشگاه شهید بهشتی |
|
|
چکیده: (522 مشاهده) |
| فوتودیودها بعنوان ساختار پایه بسیاری از قطعات مورد استفاده در ارتباطات نوری ممکن است تحت تابش یونیزان قرار گیرند. در این کار تاثیر PKAهایی با انرژیهای مختلف( eV 50، eV 100 و eV 200، eV 500 و eV 1000 ) بر ساختار سیلیکونی یک فوتودیود بررسی شده است. تاثیرات میکروسکوپی PKA ها بر ساختار سیلیکونی که با عث ایجاد نقص های فرنکل و ایجاد سطوح جدید انرژی در باند ممنوعه این نیمههادی می شود، توسط نرم افزار دینامیک مولکولی LAMMPS بررسی شده است. تغییرات ماکروسکوپی این قطعه که ناشی از گیراندازی حاملهای بار در تلههای بوجود آمده می باشد، منجر به کاهش جریان کاتد و به دنبال آن بهره کوانتومی فوتودیود می شود که توسط نرم افزار SILVACO شبیه سازی و محاسبه شده است. بنابراین با توجه به تاثیرگذاری بر ضریب اطمینان دادههای حاصل شده از این قطعات، می بایستی این افت ناشی از تابش در هنگام طراحی مدارات و همچنین تحلیل نتایج در نظر گرفته شود |
|
| واژه‌های کلیدی: تابش یونیزان، فوتودیود سیلیکونی، نقص جابجایی، PKA |
|
|
متن کامل [PDF 729 kb]
(102 دریافت)
|
|
نوع مطالعه: پژوهشي |
موضوع مقاله:
تخصصی
|
|
|
|
|
|
|
| ارسال نظر درباره این مقاله |
|
|
|
