بررسی اثر چیرپ بر افزایش دمای حاصل از اندرکنش تپ‌های لیزری فمتوثانیه با سیلیکون

گودرزی, رضا; رزاقی, داوود; حاج اسماعیل بیگی, فرشته

بخش‌های اصلی

شاخه‌ی صنعتی نور فناوران و شرکت های عضو

حمایت از انجمن اپتیک و فوتونیک

ارتباط انجمن اپتیک و فوتونیک

اشتراک در خبرنامه

لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.

دریافت آخرین شماره خبرنامه

آمار سایت

کل کاربران ثبت شده: 1999 کاربر
کاربران حاضر در وبگاه: 1 کاربر
میهمانان در حال بازدید: 640 کاربر
تمام بازدید‌ها: 27186577 بازدید
بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 16678 بازدید

کنفرانس های انجمن

تا اطلاع ثانوی
برگزار نمیشود.
تاریخهای جدید
متعاقبا اعلام
خواهند شد.

استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.

جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال25 صفحات 720-717 | برگشت به فهرست نسخه ها

Mendeley

Zotero

RefWorks

Goodarzi R, Razaghi D, Hajesmaeilbaigi F. Investigation of the chirp effect on the temperature rising due to the interaction of femtosecond laser pulses with silicon. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2019; 25 :717-720
URL: http://opsi.ir/article-1-1704-fa.html

گودرزی رضا، رزاقی داوود، حاج اسماعیل بیگی فرشته. بررسی اثر چیرپ بر افزایش دمای حاصل از اندرکنش تپ‌های لیزری فمتوثانیه با سیلیکون. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1397; 25 () :717-720

URL: http://opsi.ir/article-1-1704-fa.html

بررسی اثر چیرپ بر افزایش دمای حاصل از اندرکنش تپ‌های لیزری فمتوثانیه با سیلیکون

رضا گودرزی^*¹

، داوود رزاقی¹

، فرشته حاج اسماعیل بیگی¹

1- پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ای

چکیده: (2580 مشاهده)

تپ‌های لیزری فمتوثانیه به دلیل پهنای فرکانسی وسیعی که دارند، در اثر انتشار در محیط دچار چیرپ شدگی می‌شوند. در این مقاله اثری که چیرپ شدگی تپ لیزری بر اندرکنش می‌گذارد، بررسی شده است. دمای حامل‌ها با استفاد از تپ چیرپ شده حدود دو برابر افزایش می‌یابد. همچنین تعداد حامل‌های آزاد در حالت چیرپ شده افزایش یافته و دمای شبکه تا حدود سه برابر نسبت به حالت چیرپ نشده افزایش یافته است. در این مقاله نشان داده شده که استفاده از تپ چیرپ شده می‌تواند باعث افزایش جذب انرژی لیزر توسط حامل‌ها و به دنبال آن افزایش دمای سیلیکون شود. همچنین استفاده از تپ لیزری با چیرپ شدگی منفی، به دلیل نفوذ بیشتر درون نمونه، منجر به افزایش تعداد حامل‌های داغ و افزایش دمای نمونه می‌شود

واژه‌های کلیدی: چیرپ، لیزر، فمتوثانیه، سیلیکون

متن کامل [PDF 595 kb] (670 دریافت)

نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

بازنشر اطلاعات
	این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.