اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 321 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21793475 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 12205 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال24 صفحات 156-153 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Darroudi N, Eshghi H. Influence of substrate temperatures on the structural, optical and electrical properties of nanostructured V2O5 thin films prepared by spray pyrolysis technique. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2018; 24 :153-156
URL: http://opsi.ir/article-1-1647-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1647-fa.html
دررودی نیره، عشقی حسین. تاثیر دمای زیرلایه بر خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایههای نازک نانوساختار V2O5 تهیه شده به روش اسپری پایرولیز. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1396; 24 () :153-156
نیره دررودی*1 
، حسین عشقی1
، حسین عشقی1
1- دانشگاه صنعتی شاهرود
چکیده: (2398 مشاهده)
در این تحقیق لایههای نازک اکسید وانادیم در دماهای مختلف زیرلایه (C˚300، C˚350 و C˚400) به روش اسپری پایرولیز رشد داده شدند. تصاویر SEM نشان میدهد که با افزایش دمای زیرلایه تراکم و ابعاد نانو دانهها از 50 به nm 100 افزایش یافته است. همچنین آنالیز دادههای EDX وجود عناصر اکسیژن و وانادیوم در لایهها را تایید کرده به طوری که با افزایش دمای رشد تهی جاهای اکسیژن نیز بیشتر شده است. نتایج XRD حاکی از آن است که نمونهها از فاز آمورف (در دمای رشد Cº 300) به ساختار اورتورومبیک بسبلوری با جهتگیری ترجیحی (001) در دماهای بالاتر تغییر یافته اند. تحلیل طیف های جذب اپتیکی نشان داد با افزایش دمای زیرلایه، گاف نواری مستقیم نمونهها از 59/2 به eV 41/2 کاهش یافته است. این تغییرات به خوبی با توجه به دادههای EDX و همچنین I-V، مبتنی بر تغییرات پهنای دنباله نواری در این نمونهها، سازگار است.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
