اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 252 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21777409 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 14100 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال24 صفحات 500-497 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Hosseinizadeh P, Malekmohammad F, Malekmohammad M. Fabrication of single anti-reflection layer by introducing porous structure on silicon substrate by using chemical etching. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2018; 24 :497-500
URL: http://opsi.ir/article-1-1642-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1642-fa.html
حسینی زاده پریسا، ملک محمد فاطمه، ملک محمد محمد. ساخت تک لایه ضد بازتاب پهن باند بر زیر لایه سیلیکونی به روش متخلخل سازی به وسیله سونش شیمیایی . مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1396; 24 () :497-500
1- دانشگاه اصفهان
چکیده: (2275 مشاهده)
یکی از روشهای موثر ساخت تک لایه ضد بازتاب، سونش شیمیایی به کمک فلز (MACE) در دمای محیط است. نانو ساختارهای سیلیکونی با لایهنشانی نانو ذرات نقره به روش غوطه وری در بازههای زمانی متفاوت و زمان سونش مختلف بر روی زیر لایه سیلیکون ساخته شدهاند. بازتاب سطح متخلخل سیلیکون با زمان لایه نشانی 40 ثانیه و مدت زمان سونش 5 ساعت، در بازه طیفی 400-5000 نانومتر به کمتر از 1/2% رسیده است. بنابراین میتوان با هزینه کم و بدون تجهیزات پیشرفته در دمای محیط، به ساختار تک لایه ضدبازتاب در پهنای طیفی وسیع دست یافت، که در بسیاری از سامانههای اپتیکی و یاختههای خورشیدی برای افزایش بازده و کارایی کاربرد دارد.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
