[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال24 صفحات 193-196 برگشت به فهرست نسخه ها
تولید تابش تراهرتز کوک پذیر بر اساس ترکیب چهارموج در موجبرهای سیلیکونی
حسن پاکارزاده* 1، سپیده صدیقی1، غلامرضا هنرآسا1
1- دانشگاه صنعتی شیراز
چکیده:   (124 مشاهده)
در این مقاله، چگونگی دستیابی به محدوده‌ی فرکانسی مناسب در ناحیه تراهرتز به وسیله ترکیب چهارموج در موجبرهای سیلیکونی مورد بررسی قرار می‌گیرد. به این منظور یک موجبر سیلیکونی با خواص پاشندگی مناسب انتخاب و با تغییر طول موج پمپ ورودی از رژیم پاشندگی عادی تا رژیم غیر عادی در مجاورت طول موج صفر پاشندگی، تابش تراهرتز تولید شده در ناحیه وسیعی تنظیم می شود. نتایج نشان می‌دهد که با تغییر طول موج پمپ به اندازه 5/1  می توان به جابجایی فرکانسی از 38 تا 309 تراهرتز دست یافت.
 
واژه‌های کلیدی: موجبر سیلیکونی، ترکیب چهارموج، رژیم پاشندگی عادی، رژیم پاشندگی غیر عادی، تابش تراهرتز.
متن کامل [PDF 791 kb]   (33 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Pakarzadeh H, Sedighi S, Honarasa G. Generation of tunable THz radiation based on four-wave mixing in silicon waveguides. ICOP & ICPET. 2018; 24 :193-196
URL: http://opsi.ir/article-1-1613-fa.html

پاکارزاده حسن، صدیقی سپیده، هنرآسا غلامرضا. تولید تابش تراهرتز کوک پذیر بر اساس ترکیب چهارموج در موجبرهای سیلیکونی . کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1396; 24 () :193-196

URL: http://opsi.ir/article-1-1613-fa.html



جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.06 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3754