[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال24 صفحات 821-824 برگشت به فهرست نسخه ها
طراحی و مشخصه یابی یک مدولاتور نوری سیلیکونی جدید
شهرزاد خواجوی* 1، محمد عظیم کرمی1
1- دانشگاه علم و صنعت ایران
چکیده:   (194 مشاهده)
در این مقاله، یک ساختار جدید برای مدولاتور نوری سیلیکونی مبتنی بر تخلیه حامل با نرخ انهدام dB7.81 و تلفات نوری کم dB0.56 در بایاس معکوس 9 ولت ارائه شده است. مدولاتور از 100 نانومتر ناحیه با ناخالصی بسیار زیاد به منظور ایجاد هر اتصال اهمی استفاده می کند و مدولاتور با پروفایل چگالی کم ناخالصی در ناحیه فعال به عنوان شیفت دهنده فاز به گونه ای طراحی شده است تا تلفات نوری را کاهش دهد. نمودار چشم عملکرد جیتر ps7.13 و نقطه تصمیم گیری ps22.07 را نشان می دهد.
واژه‌های کلیدی: اثر پراکندگی پلاسما، تخلیه حامل، مدولاتور نوری سیلیکونی
متن کامل [PDF 597 kb]   (60 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Khajavi S, Karami M A. Design and Characterization of a Novel Silicon Optical modulator. ICOP & ICPET. 2018; 24 :821-824
URL: http://opsi.ir/article-1-1572-fa.html

خواجوی شهرزاد، کرمی محمد عظیم. طراحی و مشخصه یابی یک مدولاتور نوری سیلیکونی جدید . کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1396; 24 () :821-824

URL: http://opsi.ir/article-1-1572-fa.html



جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.06 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3752