اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 276 کاربر
- تمام بازدیدها: 21767134 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 14894 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال24 صفحات 812-809 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:



Yeganegi Z, Mardekatani Asl F, Abdollahi-Nejand B, Moravvej-Farshi M K. The effect of bromine on the mixed halide perovskite . ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2018; 24 :809-812
URL: http://opsi.ir/article-1-1568-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1568-fa.html
یگانگی زهرا، مرده کتانی اصل فرزاد، عبدالهی نژند بهرام، مروج فرشی محمد کاظم. تاثیر برم بر روی پروسکایت ترکیب هالوژنی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانسهای انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1396; 24 () :809-812
1- دانشگاه تربت مدرس
چکیده: (2374 مشاهده)
سلول خورشیدی پروسکایتی ترکیب هالوژنی با روش لایه نشانی دو مرحلهای پروسکایت معرفی میشود. سرب و ید از پیش ماده سرب یدید و برم از پیش ماده متیل آمونیوم برماید تهیه میشود. تاثیر برم روی ولتاژ مدار باز و گاف انرژی سلول خورشیدی نشان داده میشود. افزودن برم به پروسکایت یدی باعث بهبود مورفولوژی سطح و پهنتر شدن گاف انرژی پروسکایت و در نتیجه افزایش ولتاژ مدار باز سلول خورشیدی حاصل میشود. اما، بروم با متخلخل کردن ساختار پروسکایت، باعث کاهش جریان اتصال کوتاه سلول میشود. آنالیزجذب فرابنفش-مرئی نشان میدهد این ساختار پروسکایت دو گاف انرژی دارد. به عبارت دیگر پروسکایت حاصل دوفازی است.
بازنشر اطلاعات | |
![]() |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |