اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 246 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21767023 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 14851 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال24 صفحات 896-893 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Sajadieh S S, Batenipour N. A Comparison of Output Characteristics and Efficiency of Optimized Single-junction and Double-junction GaAs-InGaP Based Solar Cells. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2018; 24 :893-896
URL: http://opsi.ir/article-1-1428-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1428-fa.html
سجادیه سیده شهرزاد، باطنی پور نسرین دخت. مقایسه مشخصه خروجی و بازدهی سلولهای خورشیدی تک پیوندی و دوپیوندی بهینه‌شده مبتنی بر GaAs-InGaP . مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1396; 24 () :893-896
1- دانشگاه آزاد اسلامی، واحد دماوند
2- دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تهران شمال
2- دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تهران شمال
چکیده: (2682 مشاهده)
در این مقاله با حل همزمان معادلات پواسون، پیوستگی و انتقال حامل‌ها،سلولهای خورشیدی تک پیوندی GaAs و InGaP وسلول دو پیوندی GaAs-InGaP را شبیهسازی و با یکدیگر مقایسه کردیم. با مقایسه پاسخ طیفی سلولهای خورشیدی نشان دادیم سلولهای خورشیدی GaAs و InGaP به ترتیب امواج کمتر از 873 نانومتر و 659 نانومتر را جذب میکنند. درحالیکه سلول دوپیوندی متشکل از این دو زیرسلول طیف وسیعی از امواج که حاصل همپوشانی این دو طیف است را جذب میکند. این امر راندمان سلول دوپیوندی را افزایش میدهد. بر اساس نتایج شبیهسازی راندمان سلولهای GaAs و InGaP به ترتیب 83/23 و 32/13 درصد است، درحالیکه با بهینه سازی ساختار سلول GaAs-InGaP راندمان 58/30 درصد حاصل گردید. علاوه بر آن مشخصه I-V سلولها نشان داد ولتاژ مدار باز برای سلول GaAs حدود 1 ولت و برای سلول InGaP به دلیل داشتن شکاف باند بیشتر، حدود 4/1 ولت است. ولتاژ مدار باز برای سلول دوپیوندی تقریبا برابر با حاصل جمع مقادیر مربوط به سلولهای تک پیوندی است که با طراحی مناسب آنرا افزایش دادیم. با طراحی مناسب سلول دوپیوندی جریان اتصال کوتاه نیز بهبود یافت.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
