یکی از روش ها برای افزایش بازده نوری افزاره های سلول خورشیدی مبتنی بر نانو ساختار، استفاده از فرآیند تکثیر اکسیتونی(MEG) می باشد که در آن تحت شرایط معینی به ازای جذب یک فوتون چندین اکسیتون ایجاد می شود. در این مقاله ما نرخ تکثیر اکسیتونی را در نانوبلورهای سیلیکن و ژرمانیوم بدست آورده و مقایسه کرده ایم. نتایج ما با روش EOM-CCSD نشان می دهد که فرآیند MEG در نانوبلور ژرمانیوم حدود 8/0 eV زودتر از نانوبلور سیلیکن شروع شده و آستانه آن حدود 8 درصد کمتر است. آستانه MEG محاسبه شده بر مبنای شکاف انرژی نوری بوده و نتایج ما تطابق مناسبی با گزارش های آزمایشگاهی دارد.