لایه های نازک نانوساختار اکسید مس با استفاده از محلول کلرید مس به روش رسوب گداری حمام شیمیایی بر روی زیرلایه شییشه لایه نشانی ، و سپس در بازه های زمانی 1 و 2 ساعت در حضور گاز آرگون در دمای °C 300 بازپخت داده شدند. نمونه ها با استفاده از تصاویر FESEM، طیف های XRD و UV-Vis تحت بررسی قرار گرفتند. دریافتیم که لایه ی نانوساختار اولیه به صورت بس بلوری تک فاز (CuO) در ساختار مونوکلینیک و با جهت گیری ترجیحی (111-) رشد یافته است، اما پس از بازپخت فاز اضافی Cu₂O نیز ظاهر شده است. تحلیل داده های جذب نوری نشان داد که با افزایش زمان بازپخت کاف تواری اپتیکی نمونه کاهش می یابد.