در این مقاله تأثیر پارامتر چرپ در تحول پالس در نانوسیم­های سیلیکونی با پاشندگی مهندسی شده از طریق حل معادله غیرخطی شرودینگر با استفاده از نرم افزار متلب به روش فوریه گام مجزا بررسی می­شود. با در نظر گرفتن پالس ورودی سکانت­هایپربولیک از مرتبه فمتوثانیه و نیز لحاظ کردن اثرات غیرخطی و ضریب پاشندگی مرتبه دوم و سوم بصورت تابعی از طول، تأثیر پارامتر چرپ در انتشار پالس در طول نانوسیم، مورد مطالعه قرار می­گیرد. نتایج نشان می­دهد که مقدار و علامت چرپ تاثیر بسزایی در تحول پالس و بخصوص پهن شدگی آن در طول نانوسیم دارد بطوریکه می­توان با افزودن چرپ مثبت به پالس ورودی پهن­شدگی را کاهش داد. لذا می­توان با انتخاب مناسب پارامترهای پالس، به گونه­ای انتشار پالس را کنترل کرد که کمترین پهن­شدگی حین انتشار ایجاد شود.