اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 540 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21754058 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 12116 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 1496-1493 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Hatami M, Rajabi R, Seyedyazdi J. Investigation of Defect Modes in One-Dimensional Photonic Crystal of Nano-Porous TiO2 in Visible Light Region Considering Refractive Index Dispersion. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2014; 20 :1493-1496
URL: http://opsi.ir/article-1-126-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-126-fa.html
حاتمی محمدرضا، رجبی رویا، سیدیزدی جمیله. بررسی اثر پاشندگی ضریب شکست بر مدهای نقص ناحیه مرئی در بلور فوتونی یک بعدی دی اکسیدتیتانیوم نانومتخلخل. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1392; 20 () :1493-1496
محمدرضا حاتمی1 
، رویا رجبی2 ، جمیله سیدیزدی*2
، رویا رجبی2 ، جمیله سیدیزدی*2
1- گروه فیزیک دانشگاه علوم و تحقیقات فارس
2- گروه فیزیک دانشگاه ولی‌عصر(عج) رفسنجان
2- گروه فیزیک دانشگاه ولی‌عصر(عج) رفسنجان
چکیده: (7701 مشاهده)
در این مقاله با در نظر گرفتن تخلخل و ضخامت مناسب لایه‌های بلور فوتونی سیلیکون نانومتخلخل، به منظور قرار گرفتن نوار ممنوعه فوتونی در ناحیه مرئی، به کمک روش در این مقاله با در نظر گرفتن اثر پاشندگی ضریب شکست و به کمک روش ماتریس انتقال، بعد از بهینه‌سازی بازه ضریب شکست و ضخامت لایه‌های بلور فوتونی به منظور قرار گرفتن نوار ممنوعه فوتونی در ناحیه مرئی، با افزودن یک لایه نقص و تشکیل بلور فوتونی با ساختار هندسی متقارن، گاف ممنوعه فوتونی و مدهای نقص مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می‌دهد که در نظر گرفتن اثر پاشندگی لایه‌های بلور فوتونی نه تنها باعث کاهش گاف ممنوعه می‌شود بلکه شدت و مکان مدهای نقص را هم کاهش می‌دهد. بنابراین اعمال اثر پاشندگی در مسائل کاربردی حائز اهمیت است. .
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
